[發(fā)明專利]扇出線結(jié)構(gòu)、顯示面板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610185117.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105679744A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王劭顓;金熙哲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/538 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/538;H01L21/48 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;景軍平 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 出線 結(jié)構(gòu) 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,包括多條長(zhǎng)度不一的扇出線;
每條所述扇出線均包括布線層;
至少部分所述扇出線的所述布線層之上設(shè)置有與布線層電連接的附加導(dǎo)電膜;
多條所述扇出線的阻抗相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,不同長(zhǎng)度的所述布線層的阻抗不 同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,多條所述扇出線中,除長(zhǎng)度最短的 布線層外,其余多條所述扇出線中的布線層均設(shè)置有與布線層電連接的附加導(dǎo)電膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,多條所述扇出線中,每條所述布線 層均設(shè)置有與布線層電連接的附加導(dǎo)電膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述附加導(dǎo)電膜厚度及寬度一 致。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,設(shè)置有所述附加導(dǎo)電膜的多條扇出 線中,設(shè)置在不同長(zhǎng)度的所述布線層之上的附加導(dǎo)電膜的長(zhǎng)度不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述附加導(dǎo)電膜連續(xù)地或分段地設(shè) 置在所述布線層之上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述附加導(dǎo)電膜材料與所述布線層 的材料相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出線結(jié)構(gòu),其特征在于,所述附加導(dǎo)電膜材料與所述布線層 的材料不同,且附加導(dǎo)電膜材料電阻率小于所述布線層材料的電阻率。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括驅(qū)動(dòng)電路模塊和TFT陣列,以及如權(quán)利要求1至9 任一項(xiàng)所述的扇出線結(jié)構(gòu),所述扇出線結(jié)構(gòu)用于連接驅(qū)動(dòng)電路模塊與TFT陣列。
11.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供預(yù)設(shè)有扇出區(qū)的襯底;
在預(yù)設(shè)的所述扇出區(qū)通過(guò)沉積形成第一導(dǎo)電層;
在所述第一導(dǎo)電膜表面形成第二導(dǎo)電層;以及
通過(guò)刻蝕第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層分別形成所述布線層和附加導(dǎo)電膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法,其特征在于,通過(guò)刻蝕第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層 分別形成所述布線層和附加導(dǎo)電膜包括:
在所述第二導(dǎo)電層上涂覆光刻膠;
通過(guò)半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠曝光顯影,形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留 區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域;
以所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠為掩膜刻蝕所述第一導(dǎo)電 層和第二導(dǎo)電層以形成多條布線層;
對(duì)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠同時(shí)進(jìn)行灰化處理以暴露 所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)的部分第二導(dǎo)電層;
對(duì)暴露的所述部分第二導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕以形成附加導(dǎo)電膜;以及
去除剩余的光刻膠。
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