[發明專利]半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201610181934.9
• 申請日: 2016-03-28
• 公開（公告）號: CN106992167A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 吳鐵將
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包含：

基板，其具有第一盲孔及溝槽，所述第一盲孔連通所述溝槽，所述第一盲孔具有第一深度，所述溝槽具有小于所述第一深度的第二深度；以及

電容結構，其包含：

第一內導體，其位于所述第一盲孔中；

第一內絕緣體，其環繞所述第一內導體；以及

外導體，其具有第一部分環繞所述第一內絕緣體，及一延伸部分從所述第一部分延伸出來，所述第一部分位于所述第一盲孔中，所述延伸部分位于所述溝槽中，其中所述第一內導體是借由所述第一內絕緣體與所述外導體隔離。

2.如權利要求1所述的半導體結構，在俯視下，其特征在于，所述延伸部分的面積小于所述第一部分、所述第一內絕緣體及所述第一內導體的總面積。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述延伸部分的厚度小于所述第一部分、所述第一內絕緣體及所述第一內導體的總厚度。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構進一步包含：

第二盲孔，其連通所述溝槽并位于所述基板中；

所述外導體的第二部分，其位于所述第二盲孔中；

第二內絕緣體，其埋設于所述外導體的所述第二部分中；以及

第二內導體，其埋設于所述第二內絕緣體中。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構進一 步包含第一金屬層，其接觸所述外導體，以及第二金屬層，其接觸所述第一內導體及所述第二內導體。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構進一步包含外絕緣體，其位于所述基板及所述外導體之間。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述外絕緣體具有厚度，所述厚度小于所述溝槽的所述第二深度。

8.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述外絕緣體及所述延伸部分的組合厚度等于所述溝槽的所述第二深度。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述延伸部分的厚度等于所述溝槽的所述第二深度。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述延伸部分的厚度不同于所述第一部分的厚度。

11.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述電容結構與所述基板共平面。

12.一種制作半導體結構的方法，其特征在于，所述制作半導體結構的方法包含：

在基板中形成第一盲孔及溝槽，所述第一盲孔連通所述溝槽，所述第一盲孔具有第一深度，所述溝槽具有小于所述第一深度的第二深度；

形成外導體，其具有第一部分于所述第一盲孔中，及一延伸部分于所述溝槽中；

在所述第一部分上形成第一內絕緣體；以及

在所述第一內絕緣體上形成第一內導體，并借由所述第一內絕緣體與所述第一部分隔離。

13.如權利要求12所述的制作半導體結構的方法，其特征在于，所述制 作半導體結構的方法進一步包含：

形成第二盲孔，所述第二盲孔連通所述溝槽且位于所述基板中；

在所述第二盲孔中形成所述外導體的第二部分；

在所述第二部分上形成第二內絕緣體；以及

在所述第二內絕緣體上形成第二內導體，并借由所述第二內絕緣體與所述第二部分隔離。

14.如權利要求13所述的制作半導體結構的方法，其特征在于，所述第二盲孔具有第三深度，所述第三深度大于所述溝槽的所述第二深度。

15.如權利要求13所述的制作半導體結構的方法，其特征在于，所述第一盲孔的所述第一深度不同于所述第二盲孔的所述第三深度。

16.如權利要求12所述的制作半導體結構的方法，在形成所述外導體前，其特征在于，所述制作半導體結構的方法進一步包含在所述第一盲孔及所述溝槽中形成外絕緣體。

17.如權利要求16所述的制作半導體結構的方法，其特征在于，所述外絕緣體的厚度小于所述溝槽的所述第二深度。

18.如權利要求12所述的制作半導體結構的方法，其特征在于，所述外導體填滿所述溝槽。