[發(fā)明專利]一種光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610177681.8
• 申請(qǐng)日: 2016-03-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105702814B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章帥;徐慧文;李起鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1)：提供一光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片，所述芯片包括設(shè)有電極的第一表面和第二表面，所述第一表面為出光面，所述第二表面為與第一表面相對(duì)的另一表面；

步驟2)：采用濕法腐蝕或干法刻蝕去除第一表面的熒光粉混合層；

步驟3)：在去除熒光粉混合層后的第一表面的電極上涂覆光刻膠；

步驟4)：在第一表面涂覆熒光粉混合層，并固化；

步驟5)：對(duì)所述熒光粉混合層表面進(jìn)行研磨拋光；

步驟6)：去除電極上面的光刻膠，并對(duì)所述芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試；

步驟2)中采用去膠劑進(jìn)行濕法腐蝕，所述干法刻蝕為采用氟化物氣體進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述去膠劑的主要成分為1-甲基-2-吡咯烷酮(1-Methy1-2-Pyrrolidinone)、乙醇胺，所述去膠劑與水的比例為1:0～1:20。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述氟化物氣體為三氟甲烷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的時(shí)間為1～30min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，步驟2)中所述熒光粉混合層為熒光粉和粘連劑的混合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述粘連劑為硅膠、變形硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、變形環(huán)氧樹(shù)脂及丙烯樹(shù)脂中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，步驟5)中所述研磨前熒光粉混合層的厚度為10um～1000um，研磨后熒光粉混合層的厚度為5um～100um。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電參數(shù)測(cè)試不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)、正裝結(jié)構(gòu)、垂直倒裝結(jié)構(gòu)、高壓結(jié)構(gòu)、以及垂直倒裝高壓結(jié)構(gòu)中的一種。