[發(fā)明專利]單晶爐用熱場(chǎng)及單晶爐有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610177122.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107227488B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄧浩;張龍龍;劉培東;張駿凱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 隆基綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B15/00 | 分類號(hào): | C30B15/00 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人: | 羅笛 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單晶爐用熱場(chǎng) 單晶爐 | ||
本發(fā)明公開的單晶爐用熱場(chǎng),包括坩堝及位于其上方的冷卻件,還包括護(hù)套,護(hù)套設(shè)置于冷卻件靠近坩堝中心軸線的一側(cè)。本發(fā)明公開的單晶爐,包括爐體和如上所述的單晶爐用熱場(chǎng),單晶爐用熱場(chǎng)位于爐體內(nèi)。本發(fā)明的單晶爐用熱場(chǎng)及單晶爐解決了現(xiàn)有技術(shù)拉制單晶時(shí)提高拉晶速度與提高單晶質(zhì)量?jī)烧卟豢杉骖櫟膯栴}。本發(fā)明的單晶爐用熱場(chǎng)及單晶爐具有冷卻件,可以優(yōu)化溫度梯度、提高拉晶速度并降低拉晶成本;并且由于設(shè)置了護(hù)套,還能確保生長(zhǎng)的晶體不受雜質(zhì)污染、提供具有良好少子壽命的晶體產(chǎn)品。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于單晶制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種單晶爐用熱場(chǎng),還設(shè)計(jì)一種具有該單晶爐用熱場(chǎng)的單晶爐。
背景技術(shù)
隨著世界經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展,現(xiàn)代化建設(shè)對(duì)高效能源需求不斷增長(zhǎng)。光伏發(fā)電作為綠色能源以及人類可持續(xù)發(fā)展的一種主要能源,日益受到世界各國(guó)的重視并得到大力發(fā)展。單晶硅片作為光伏發(fā)電的一種基礎(chǔ)材料,擁有廣泛的市場(chǎng)需求。直拉單晶硅生長(zhǎng)方法是一種常見的單晶生長(zhǎng)方法,其生長(zhǎng)過(guò)程是在單晶爐中,將籽晶浸入熔體,依次實(shí)施引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑及收尾過(guò)程,最后獲得單晶硅棒。為了降低拉晶成本,一種途徑是提升拉晶速度,但拉晶速度的提升往往帶來(lái)晶體品質(zhì)的下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種單晶爐用熱場(chǎng),解決了現(xiàn)有的熱場(chǎng)在提高拉晶速度和提高單晶品質(zhì)方面難以同時(shí)兼顧的問題。
本發(fā)明的目的還在于提供一種具有該單晶爐用熱場(chǎng)的單晶爐,解決了現(xiàn)有的單晶爐存在的在提高拉晶速度和提高單晶品質(zhì)方面難以同時(shí)兼顧的問題。
本發(fā)明所采用的一種技術(shù)方案是:?jiǎn)尉t用熱場(chǎng),包括坩堝及位于其上方的冷卻件,還包括護(hù)套,護(hù)套設(shè)置于冷卻件靠近坩堝中心軸線的一側(cè)。
本發(fā)明的特點(diǎn)還在于,
護(hù)套為石英材質(zhì)。
護(hù)套具有相對(duì)的第一表面和第二表面,第一表面靠近坩堝中心軸線的一側(cè),第二平面與冷卻件相對(duì)設(shè)置。
第二表面與冷卻件間隔設(shè)置或者相貼合接觸。
還包括位于坩堝上方的熱屏,冷卻件位于熱屏與護(hù)套之間。
本發(fā)明所采用的另一種技術(shù)方案是:?jiǎn)尉t,包括爐體和如上所述的單晶爐用熱場(chǎng),單晶爐用熱場(chǎng)位于爐體內(nèi)。
本發(fā)明的特點(diǎn)還在于,
爐體包括相連接的主室和副室,主室內(nèi)具有坩堝、保溫蓋及冷卻件,保溫蓋和冷卻件依次位于坩堝靠近副室的一端,冷卻件靠近坩堝中心軸線的一側(cè)還設(shè)置有護(hù)套。
爐體包括相連接的主室和副室,主室內(nèi)具有坩堝及位于坩堝靠近副室一端的保溫蓋,主室內(nèi)還具有第一冷卻件和第二冷卻件,第一冷卻件位于坩堝與保溫蓋之間,第二冷卻件位于保溫蓋靠近副室的一端,第一冷卻件和第二冷卻件靠近坩堝中心軸線的一側(cè)共同設(shè)置有護(hù)套。
護(hù)套上對(duì)應(yīng)于第一冷卻件和第二冷卻件的間隙處開設(shè)有取光孔。
主室內(nèi)還設(shè)置有位于坩堝與保溫蓋之間的熱屏,第一冷卻件位于熱屏與護(hù)套之間。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的單晶爐用熱場(chǎng)及單晶爐解決了現(xiàn)有技術(shù)拉制單晶時(shí)提高拉晶速度與提高單晶質(zhì)量?jī)烧卟豢杉骖櫟膯栴}。本發(fā)明的單晶爐用熱場(chǎng)及單晶爐具有冷卻件,可以優(yōu)化溫度梯度、提高拉晶速度并降低拉晶成本;并且由于設(shè)置了護(hù)套,還能確保生長(zhǎng)的晶體不受雜質(zhì)污染、提供具有良好少子壽命的晶體產(chǎn)品。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的單晶爐第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明的單晶爐第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明的單晶爐第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
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