[發明專利]羊躑躅葉片再生植株的方法有效
| 申請號: | 201610173982.3 | 申請日: | 2016-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN105830917B | 公開(公告)日: | 2017-11-17 |
| 發明(設計)人: | 肖政;蘇家樂;孫曉波;劉曉青;李暢 | 申請(專利權)人: | 江蘇省農業科學院 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 南京申云知識產權代理事務所(普通合伙)32274 | 代理人: | 洪洋 |
| 地址: | 211225 江蘇省南京市溧水*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 躑躅 葉片 再生 植株 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種羊躑躅葉片再生植株的方法。屬于植物組織培養領域。
背景技術
杜鵑花是中國十大傳統名貴花卉之一,其花色繁多,花期長,被廣泛用于地栽、城市道路、風景區以及住宅小區的綠化造景中,有“花木之王”的美名。我國是世界上擁有杜鵑花種群數量最多的國家,也是世界杜鵑花的發祥地和現代分布中心,全世界共有杜鵑花屬植物960余種,我國約有562種。
羊躑躅(Rhododendron molle(Blume)G.Don)又名鬧羊花、黃杜鵑、黃色映山紅、隸屬杜鵑花科杜鵑花屬羊躑躅亞屬,落葉灌木,是杜鵑花屬植物中極少數開黃色花的珍貴物種,具有較高的觀賞價值。然而羊躑躅的扦插困難,難生根,嚴重制約了羊躑躅在生產上推廣應用。中國專利文獻CN103651115A公開了一種杜鵑花金躑躅的組培快繁方法,該方法選用金躑躅的帶葉莖段作為外植體進行組培,初步解決金躑躅的快繁問題,但其誘導過程實質是芽到芽的增殖,并沒有解決金躑躅愈傷組織再生植株的問題。關于木本植物通過葉片再生植株一直是林業研究工作中的一個難題,羊躑躅通過葉片直接誘導不定芽再生植株的有效方法迄今尚未報道,本發明主要以羊躑躅葉片為外植體,直接誘導不定芽,不僅為快速繁殖優良羊躑躅植株提供了一條新的途徑,而且為以后通過基因工程技術利用葉盤法轉基因來改良羊躑躅的抗性、花型及花色等性狀打下堅實的基礎。
發明內容
本發明的目的在于提供一種羊躑躅葉片再生植株的方法。
本發明的目的通過以下技術方案實現:
一種羊躑躅葉片再生植株的方法,其步驟包括:
(1)暗培養:將羊躑躅無菌苗葉片,用無菌解剖刀在葉片上劃刻幾刀,接種到預培養基中,暗培養3-7天,其中預培養基為:1/2WPM+1.0~5.0mg/L ZT+0.02~1.0mg/L IBA+20~30g/L蔗糖+4.0~7.0g/L瓊脂,pH為5.2~5.6;
(2)分化培養:將步驟(1)葉片接種到分化培養基中進行愈傷組織及芽誘導,其中分化培養基為:木本植物常用培養基(WPM)+1.0~5.0mg/L玉米素(ZT)+0.02~1.0mg/L吲哚丁酸(IBA)+20~30g/L蔗糖+4.0~7.0g/L瓊脂,pH為5.2~5.6;
(3)繼代培養:將步驟(2)葉片接種到繼代培養基中繼續進行愈傷組織及芽誘導,其中繼代培養基為:WPM+1.0~5.0mg/L ZT+0.02~1.0mg/L IBA+20~30g/L蔗糖+4.0~7.0g/L瓊脂,pH為5.2~5.6;
(4)增殖培養基:將步驟(3)誘導分化的帶芽愈傷組織接種到增殖培養上進行增殖培養,增殖培養基為:WPM+0.1~2.0mg/L ZT+0.02~1.0mg/L IBA+20~30g/L蔗糖+4.0~7.0g/L瓊脂,pH為5.2~5.6;
(5)生根培養:將步驟(4)增殖的不定芽接種到生根培養基中,接種后光照培養;
(6)煉苗移栽:從步驟(5)獲得的組培苗中選取根系健壯的進行煉苗移栽。
優選的,所述步驟(1)中暗培養條件為溫度20~25℃,濕度40~50%。
優選的,所述步驟(2)中培養條件為:光照12~14h/天,光照強度3000~5000lx,溫度23~25℃,濕度40~50%,培養至葉片切口處卷曲加劇,開始出現顆粒狀的愈傷組織。
優選的,所述步驟(3)中培養條件為:光照12~14h/天,光照強度3000~5000lx,溫度23~25℃,濕度40~50%,培養至葉片切口處愈傷組織長出不定芽。
優選的,所述步驟(4)中培養條件為:光照12~14h/天,光照強度3000~5000lx,溫度23~25℃,濕度40~50%,培養至帶有不定芽的愈傷組織長出叢生芽。
優選的,所述步驟(5)中生根培養基為:1/3WPM+0.5~4.0mg/L IBA+20~30g/L蔗糖+6.0g/L瓊脂+2g/L活性碳,pH為5.2~5.6,培養至不定芽株高達到3cm以上且生長出須根。
優選的,所述步驟(6)具體為:選擇根系健壯且株高達到3.0cm的組培苗,敞開培養瓶瓶蓋,煉苗10天,洗凈組培苗根部的瓊脂,之后將其移栽到淋濕的珍珠巖基質中,向小苗進行噴霧,覆蓋塑料薄膜進行保溫保濕,隨后幾天逐步撤去薄膜進行通風透光,20~30天后,將其移栽至草炭土:珍珠巖=3:1組成的混合基質中,移栽操作在溫度20~25℃下進行,栽植后澆透水,日常養護注意保證基質濕潤。
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