[發明專利]羊躑躅葉片再生植株的方法

有效

• 申請號: 201610173982.3
• 申請日: 2016-03-24
• 公開（公告）號: CN105830917B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 肖政;蘇家樂;孫曉波;劉曉青;李暢
• 申請（專利權）人: 江蘇省農業科學院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 南京申云知識產權代理事務所(普通合伙)32274
• 代理人: 洪洋

1.一種羊躑躅葉片再生植株的方法，其步驟包括：

(1)暗培養：將羊躑躅無菌苗葉片，用無菌解剖刀在葉片上劃刻幾刀，接種到預培養基中，暗培養3-7天，其中預培養基為：1/2WPM+1.0～5.0mg/L ZT+0.02～1.0mg/L IBA+20～30g/L蔗糖+4.0～7.0g/L瓊脂，pH為5.2～5.6；

(2)分化培養：將步驟(1)葉片接種到分化培養基中進行愈傷組織及芽誘導，其中分化培養基為：WPM+1.0～5.0mg/L ZT+0.02～1.0mg/L IBA+20～30g/L蔗糖+4.0～7.0g/L瓊脂，pH為5.2～5.6；

(3)繼代培養：將步驟(2)葉片接種到繼代培養基中繼續進行愈傷組織及芽誘導，其中繼代培養基為：WPM+1.0～5.0mg/L ZT+0.02～1.0mg/L IBA+20～30g/L蔗糖+4.0～7.0g/L瓊脂，pH為5.2～5.6；

(4)增殖培養基：將步驟(3)誘導分化的帶芽愈傷組織接種到增殖培養上進行增殖培養，增殖培養基為：WPM+0.1～2.0mg/L ZT+0.02～1.0mg/L IBA+20～30g/L蔗糖+4.0～7.0g/L瓊脂，pH為5.2～5.6；

(5)生根培養：將步驟(4)增殖的不定芽接種到生根培養基中，接種后光照培養；

(6)煉苗移栽：從步驟(5)獲得的組培苗中選取根系健壯的植株進行煉苗移栽。

2.根據權利要求1所述的羊躑躅葉片再生植株的方法，其特征在于：所述步驟(1)中暗培養條件為溫度20～25℃，濕度40～50％。

3.根據權利要求2所述的羊躑躅葉片再生植株的方法，其特征在于：所述步驟(2)中培養條件為：光照12～14h/天，光照強度3000～5000lx，溫度23～25℃，濕度40～50％，培養至葉片切口處卷曲加劇，開始出現顆粒狀的愈傷組織。

4.根據權利要求3所述的羊躑躅葉片再生植株的方法，其特征在于：所述步驟(3)中培養條件為：光照12～14h/天，光照強度3000～5000lx，溫度23～25℃，濕度40～50％，培養至葉片切口處愈傷組織長出不定芽。

5.根據權利要求4所述的羊躑躅葉片再生植株的方法，其特征在于：所述步驟(4)中培養條件為：光照12～14h/天，光照強度3000～5000lx，溫度23～25℃，濕度40～50％，培養至帶有不定芽的愈傷組織長出叢生芽。

6.根據權利要求5所述的羊躑躅葉片再生植株的方法，其特征在于：所述步驟(5)中生根培養基為：1/3WPM+0.5～4.0mg/L IBA+20～30g/L蔗糖+4.0～7.0g/L瓊脂+2g/L活性碳，pH為5.2～5.6，培養至不定芽株高達到3cm以上且生長出須根。

7.根據權利要求6所述的羊躑躅葉片再生植株的方法，其特征在于：所述步驟(6)具體為：選擇根系健壯且株高達到3.0cm的組培苗，敞開培養瓶瓶蓋，煉苗10天，洗凈組培苗根部的瓊脂，之后將其移栽到淋濕的珍珠巖基質中，向小苗進行噴霧，覆蓋塑料薄膜進行保溫保濕，隨后幾天逐步撤去薄膜進行通風透光，20～30天后，將其移栽至草炭土：珍珠巖＝3：1組成的混合基質中，移栽操作在溫度20～25℃下進行，栽植后澆透水，日常養護注意保證基質濕潤。