[發明專利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

有效

• 申請號: 201610169584.4
• 申請日: 2016-03-23
• 公開（公告）號: CN105789117B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 遲世鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成有源層(20)，對所述有源層(20)進行離子注入，并在所述有源層(20)上定義出溝道區(21)；

步驟2、在所述有源層(20)、及基板(10)上依次沉積絕緣層(32)與第一金屬層(31)，采用一道光罩對所述第一金屬層(31)和絕緣層(32)進行圖形化處理，得到與所述有源層(20)的溝道區(21)的寬度相等并且在寬度方向上兩端對齊的第一柵極(40)與柵極絕緣層(30)；

以所述第一柵極(40)和柵極絕緣層(30)為阻擋層，對所述有源層(20)進行離子注入，得到分別位于溝道區(21)兩側的第一離子重摻雜區(22)與第二離子重摻雜區(23)；

步驟3、在所述第一柵極(40)、有源層(20)、及基板(10)上沉積第二金屬層(41)，采用一道光罩對所述第一金屬層(41)進行圖形化處理，得到位于所述有源層(20)的兩側且分別與所述有源層(20)的第一離子重摻雜區(22)與第二離子重摻雜區(23)相接觸的源極(51)與漏極(52)；

將所述第一離子重摻雜區(22)上與源極(51)相接觸的部分定義為源極接觸區(24)；將所述第二離子重摻雜區(23)上與漏極(52)相接觸的部分定義為漏極接觸區(25)；

以所述源極(51)、漏極(52)、及第一柵極(40)為阻擋層，對所述第一離子重摻雜區(22)上位于所述源極(51)與第一柵極(40)之間的部分、以及所述第二離子重摻雜區(23)上位于第一柵極(40)與漏極(52)之間的部分進行蝕刻，去除上層離子濃度較高的部分，保留下層離子濃度較低的部分，從而得到位于所述源極接觸區(24)與溝道區(21)之間的第一輕摻雜補償區(26)、以及位于所述溝道區(21)與漏極接觸區(25)之間的第二輕摻雜補償區(27)；

步驟4、在所述源極(51)、漏極(52)、有源層(20)、及第一柵極(40)上沉積鈍化保護層(60)，采用一道光罩對所述鈍化保護層(60)進行圖形化處理，對應于所述源極(51)、漏極(52)、及第一柵極(40)的上方分別形成第一通孔(61)、第二通孔(62)、及第三通孔(63)；

步驟5、在所述鈍化保護層(60)上沉積導電層(90)，采用一道光罩對所述導電層(90)進行圖形化處理，得到第一接觸電極(71)、第二接觸電極(72)、及第二柵極(80)，所述第一、第二接觸電極(71、72)分別經由第一、第二通孔(61、62)與源極(51)、漏極(52)相連，所述第二柵極(80)經由第三通孔(63)與第一柵極(40)相連；

所述第二柵極(80)的寬度大于所述第一柵極(40)的寬度，且所述第二柵極(80)的兩側分別覆蓋位于所述第一柵極(40)兩側的第一輕摻雜補償區(26)與第二輕摻雜補償區(27)。

2.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，在所述基板(10)上形成有源層(20)的具體實施方式為：在基板(10)上沉積非晶硅薄膜，采用固相結晶方法將所述非晶硅薄膜轉化為低溫多晶硅薄膜后，采用一道光罩對所述低溫多晶硅薄膜進行圖形化處理，得到有源層(20)。

3.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述溝道區(21)為N型離子輕摻雜區，所述源極接觸區(24)、漏極接觸區(25)為P型離子重摻雜區，所述第一輕摻雜補償區(26)、第二輕摻雜補償區(27)為P型離子輕摻雜區；或者，所述溝道區(21)為P型離子輕摻雜區，所述源極接觸區(24)、漏極接觸區(25)為N型離子重摻雜區，所述第一輕摻雜補償區(26)、第二輕摻雜補償區(27)為N型離子輕摻雜區。

4.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二柵極(80)的左側與源極(51)的右側之間形成第一重疊區(810)，所述第二柵極(80)的右側與漏極(52)的左側之間形成第二重疊區(820)。

5.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一、第二接觸電極(71、72)、及第二柵極(80)的材料均為透明導電金屬氧化物。