[發(fā)明專利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610169584.4
• 申請(qǐng)日: 2016-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105789117B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遲世鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。本發(fā)明的TFT基板的制作方法，通過(guò)在TFT中設(shè)置第一、第二輕摻雜補(bǔ)償區(qū)，可降低TFT的關(guān)態(tài)電流；同時(shí)采用第一柵極與第二柵極組成雙柵極結(jié)構(gòu)，減小第一、第二輕摻雜補(bǔ)償區(qū)對(duì)TFT開(kāi)態(tài)電流的影響，所述第一柵極與第二柵極相連，由同一個(gè)柵極電壓控制，不需要額外的電壓信號(hào)；制程簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，制得的TFT基板具有較好的電學(xué)性能。本發(fā)明制得的TFT基板，采用輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)來(lái)降低TFT的關(guān)態(tài)電流，采用雙柵極結(jié)構(gòu)來(lái)降低輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)對(duì)TFT開(kāi)態(tài)電流的影響，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且電學(xué)性能優(yōu)異。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。

背景技術(shù)

OLED是一種極具發(fā)展前景的平板顯示技術(shù)，它具有十分優(yōu)異的顯示性能，特別是自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特性，被譽(yù)為“夢(mèng)幻顯示器”，再加上其生產(chǎn)設(shè)備投資遠(yuǎn)小于TFT-LCD，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中第三代顯示器件的主力軍。目前OLED已處于大規(guī)模量產(chǎn)的前夜，隨著研究的進(jìn)一步深入，新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，OLED顯示器件必將有一個(gè)突破性的發(fā)展。

OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

目前，AMOLED正在逐步走向成熟，在AMOLED中，需要以電流作為驅(qū)動(dòng)，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)具有較大的遷移率，以其為有源層制作的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)可以滿足AMOLED的電流驅(qū)動(dòng)模式。低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)具有較高的遷移率，可以得到比較高的開(kāi)態(tài)電流，但是由于LTPS中晶粒存在造成的缺陷，會(huì)導(dǎo)致LTPS TFT在關(guān)態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)較高的關(guān)態(tài)電流。為了減小LTPS TFT的關(guān)態(tài)電流，可以采用輕摻雜補(bǔ)償(Lightly Doped Offset)結(jié)構(gòu)。輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)目前已被研究的較多，但是輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)形成高阻區(qū)會(huì)降低LTPS TFT的開(kāi)態(tài)電流，為了獲得較高的開(kāi)態(tài)電流，可以對(duì)輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)。

在具有輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的LTPS TFT中，輕摻雜補(bǔ)償區(qū)不存在載流子積累，具有較高的電阻，當(dāng)TFT處于關(guān)態(tài)時(shí)，可以有效的降低關(guān)態(tài)電流，但在TFT開(kāi)態(tài)時(shí)，輕摻雜補(bǔ)償區(qū)的存在同樣會(huì)降低開(kāi)態(tài)電流，影響LTPS TFT的開(kāi)關(guān)特性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，通過(guò)在TFT中設(shè)置第一、第二輕摻雜補(bǔ)償區(qū)，降低TFT的關(guān)態(tài)電流，同時(shí)采用第一柵極與第二柵極組成雙柵極結(jié)構(gòu)，減小第一、第二輕摻雜補(bǔ)償區(qū)對(duì)TFT開(kāi)態(tài)電流的影響，制程簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，制得的TFT基板具有較好的電學(xué)性能。

本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT基板，采用輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)來(lái)降低TFT的關(guān)態(tài)電流，采用雙柵極結(jié)構(gòu)來(lái)降低輕摻雜補(bǔ)償結(jié)構(gòu)對(duì)TFT開(kāi)態(tài)電流的影響，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且電學(xué)性能優(yōu)異。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板，在所述基板上形成有源層，對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，并在所述有源層上定義出溝道區(qū)；

步驟2、在所述有源層、及基板上沉積絕緣層與第一金屬層，采用一道光罩對(duì)所述第一金屬層和絕緣層進(jìn)行圖形化處理，得到與所述有源層的溝道區(qū)的寬度相等并且在寬度方向上兩端對(duì)齊的第一柵極與柵極絕緣層；

以所述第一柵極和柵極絕緣層為阻擋層，對(duì)所述有源層進(jìn)行離子注入，得到分別位于溝道區(qū)兩側(cè)的第一離子重?fù)诫s區(qū)與第二離子重?fù)诫s區(qū)；