[發(fā)明專利]銻化鋁材料的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610168862.4
• 申請日: 2016-03-23
• 公開（公告）號: CN105696081B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 王濤;殷子昂;趙清華;代書俊;王維;陳炳奇;李潔;介萬奇
• 申請（專利權）人: 西北工業(yè)大學
• 主分類號: C30B29/52
• 分類號: C30B29/52;C30B11/00;C23G1/12
• 代理公司: 西北工業(yè)大學專利中心61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種銻化鋁材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟一、采用純度為99.999％的鋁原料，在HF:H₂O₂＝1:2～1:3的溶液中腐蝕30～60秒，腐蝕完畢后清洗，氮氣吹干；

步驟二、經(jīng)過處理的鋁原料與純度為99.9999％的銻原料按1:1.05～1:1.1配比，并摻雜30～130ppm的純度為99.99999％的碲單質，將鋁原料、銻原料和碲單質一同轉入潔凈干燥的氮化硼坩堝中，再將氮化硼坩堝置于潔凈干燥的石英安瓿中，對石英安瓿抽真空，真空度達5～8×10^-5Pa時封管；

步驟三、將石英安瓿放置于高溫合料爐中，升溫至500～600℃，保溫22～24小時，然后以每小時5～10℃的速率升溫至680～700℃，然后升溫到銻化鋁熔點以上15～65℃，進行溫度震蕩，10～20小時后斷電爐冷，合料完成；

步驟四、將合料完成后的石英安瓿放置于ACRT-B型晶體生長設備中，設定高溫區(qū)目標溫度為1080～1100℃，低溫區(qū)目標溫度為900～940℃，升溫時間為12～24小時；到達目標溫度后，在銻化鋁熔點以上40～60℃進行12～24小時的過熱，最后將坩堝底部溫度降至高于溫度銻化鋁熔點以上2～5℃，坩堝以每小時2～5mm的速率下降，下降時間為50～100小時，開始生長銻化鋁晶體；

步驟五、銻化鋁晶體生長結束，坩堝停止下降，降溫到100～200℃，斷電爐冷至室溫。