[發明專利]用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置及中頻感應爐

有效

• 申請號: 201610165077.3
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN106992499B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 沈小弟
• 申請（專利權）人: 上海兆力電器制造有限公司
• 主分類號: H02H7/12
• 分類號: H02H7/12
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 胡美強;王聰

本發明公開了一種用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置及中頻感應爐，所述可控硅檢測保護裝置包括信號取樣與處理電路及聯鎖控制電路，信號取樣與處理電路與聯鎖控制電路電連接；信號取樣與處理電路用于獲取可控硅兩端的壓降信號并將壓降信號與預設電位信號進行比較，信號取樣與處理電路還用于根據比較結果發送保護信號至聯鎖控制電路，聯鎖控制電路用于根據保護信號輸出故障信號。本發明提供的用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置可實時有效地檢測中頻感應爐中每一只可控硅的狀態，一旦發現有損害的可控硅，立即對主電路進行保護，以使得防止損毀更多的可控硅，從而避免事故的擴大。

技術領域

本發明涉及一種用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置及中頻感應爐。

背景技術

隨著社會的發展與科技的進步，中頻感應熔煉爐的噸位已越來越大，單機容量也越來越大。國內熔煉爐最大為60t，單機容量已達到35000KVA。隨著單機容量的增大，作為感應熔煉爐電源系統中變流器件的半導體可控硅的容量也越來越大，價格也越來越高。同時，單機容量的增大使得大容量可控硅在使用時必須通過串并聯的方式再次增加變流橋的容量，這樣可控硅之間就存在均壓和均流的問題，由于不均壓和不均流的問題使得可控硅的使用處在比較危險的環境中，比較容易損壞。在兩串或四串的可控硅組件中，如果一只損壞，那么其他幾只可控硅由于均壓或均流的問題就很容易繼續損壞。

目前，中頻感應熔煉爐設備上對可控硅的檢測保護裝置無法做到好用及實用的地步，甚至一些中頻感應熔煉爐設備上根本沒有相應的檢測保護裝置，因此需要一種可控硅檢測保護裝置對每一只可控硅進行有效的檢測和保護，以免損壞的擴大。

發明內容

本發明要解決的技術問題是為了克服現有技術中中頻感應熔煉爐設備無法對每一只可控硅進行有效的檢測和保護，甚至一些中頻感應熔煉爐設備上根本沒有相應的檢測保護裝置的缺陷，提供一種用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置及中頻感應爐。

本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題：

一種用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置，其特點在于，所述可控硅檢測保護裝置包括信號取樣與處理電路及聯鎖控制電路，所述信號取樣與處理電路與所述聯鎖控制電路電連接；

所述信號取樣與處理電路用于獲取可控硅兩端的壓降信號并將所述壓降信號與預設電位信號進行比較，所述信號取樣與處理電路還用于根據比較結果發送保護信號至所述聯鎖控制電路，所述聯鎖控制電路用于根據所述保護信號輸出故障信號。

較佳地，所述信號取樣與處理電路包括信號取樣模塊、比較器及鎖存器，所述信號取樣模塊與所述比較器電連接，所述比較器與所述鎖存器電連接，所述鎖存器與所述聯鎖控制電路電連接；

所述信號取樣模塊用于獲取可控硅兩端的壓降信號并發送至所述比較器，所述比較器用于將所述壓降信號與預設電位信號進行比較并根據比較結果發送置位信號至所述鎖存器，所述鎖存器用于根據所述置位信號發送保護信號至所述聯鎖控制電路。

在本方案中，預設電位信號表征保護起始點，所述保護起始點可手動設定，這是針對于一般中頻感應爐剛開始啟動后，可控硅上的壓降信號并不穩定，有可能造成偽故障，所以設定一個閾值，當中頻電壓達到一定高度時，即可控硅上壓降穩定后才開始投入檢測，避免了偽故障信號的采集。

較佳地，所述信號取樣模塊包括壓降光信號輸入模塊及光電轉換模塊，所述壓降光信號輸入模塊與所述光電轉換模塊電連接，所述光電轉換模塊與所述比較器電連接；

所述壓降光信號輸入模塊用于將所述可控硅兩端的壓降轉換成的壓降光信號發送至所述光電轉換模塊，所述光電轉換模塊用于將所述壓降光信號轉換成壓降信號并發送至所述比較器。

在本方案中，因所述信號取樣與處理電路的取樣信號為光信號，通過所述光電轉換模塊將取樣的光信號轉換為可利用的電信號，這樣可避免可控硅上強電的進入，起到了很好的高低壓隔離作用。