[發明專利]用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置及中頻感應爐

有效

• 申請號: 201610165077.3
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN106992499B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 沈小弟
• 申請（專利權）人: 上海兆力電器制造有限公司
• 主分類號: H02H7/12
• 分類號: H02H7/12
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 胡美強;王聰

1.一種用于中頻感應爐的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述可控硅檢測保護裝置包括信號取樣與處理電路及聯鎖控制電路，所述信號取樣與處理電路與所述聯鎖控制電路電連接；

所述信號取樣與處理電路用于獲取可控硅兩端的壓降信號并將所述壓降信號與預設電位信號進行比較，所述信號取樣與處理電路還用于根據比較結果發送保護信號至所述聯鎖控制電路，所述聯鎖控制電路用于根據所述保護信號輸出故障信號；

所述信號取樣與處理電路包括信號取樣模塊、比較器及鎖存器，所述信號取樣模塊與所述比較器電連接，所述比較器與所述鎖存器電連接，所述鎖存器與所述聯鎖控制電路電連接；

所述信號取樣模塊用于獲取可控硅兩端的壓降信號并發送至所述比較器，所述比較器用于將所述壓降信號與預設電位信號進行比較并根據比較結果發送置位信號至所述鎖存器，所述鎖存器用于根據所述置位信號發送保護信號至所述聯鎖控制電路；

所述信號取樣與處理電路還包括保護忽略開關，所述保護忽略開關用于切斷所述鎖存器輸出的保護信號。

2.如權利要求1所述的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述信號取樣模塊包括壓降光信號輸入模塊及光電轉換模塊，所述壓降光信號輸入模塊與所述光電轉換模塊電連接，所述光電轉換模塊與所述比較器電連接；

所述壓降光信號輸入模塊用于將所述可控硅兩端的壓降轉換成的壓降光信號發送至所述光電轉換模塊，所述光電轉換模塊用于將所述壓降光信號轉換成壓降信號并發送至所述比較器。

3.如權利要求1所述的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述可控硅檢測保護裝置還包括預設電位電路，所述預設電位電路分別與所述比較器及所述鎖存器電連接，所述預設電位電路用于將所述比較器或所述鎖存器的輸入端的電位限制在恒定的電位上。

4.如權利要求1所述的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述可控硅檢測保護裝置還包括閾值調整電路，所述閾值調整電路包括中頻電壓輸入模塊、閾值調整電位器及電壓比較器；

所述中頻電壓輸入模塊及所述閾值調整電位器分別與所述電壓比較器電連接，所述電壓比較器與所述聯鎖控制電路電連接；

所述中頻電壓輸入模塊用于將中頻電壓信號發送至所述電壓比較器，所述閾值調整電位器用于調整閾值電壓信號并將所述閾值電壓信號發送至所述電壓比較器，所述電壓比較器用于將所述中頻電壓信號或啟動電位信號與所述閾值電壓信號進行比較并根據比較結果輸出待機信號或運行信號至所述聯鎖控制電路。

5.如權利要求4所述的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述閾值調整電路還包括啟動預檢模塊，所述啟動預檢模塊與所述電壓比較器電連接，所述啟動預檢模塊用于將啟動電位信號發送至所述電壓比較器，所述啟動電位信號表征的電位高于所述閾值電壓信號表征的電位。

6.如權利要求4所述的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述閾值調整電路還包括整流分壓模塊，所述整流分壓模塊與所述中頻電壓輸入模塊電連接，所述整流分壓模塊用于對所述中頻電壓信號進行整流分壓并發送至所述電壓比較器。

7.如權利要求4所述的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述聯鎖控制電路包括待機模塊、運行模塊、保護模塊及復位模塊；

所述待機模塊分別與所述電壓比較器及所述鎖存器電連接，所述運行模塊分別與所述電壓比較器及所述鎖存器電連接，所述保護模塊分別與所述鎖存器、所述運行模塊及所述待機模塊電連接，所述復位模塊分別與所述運行模塊及所述保護模塊電連接；

所述待機模塊用于接收所述待機信號時提示待機，所述運行模塊用于接收所述運行信號時提示運行，所述保護模塊用于接收所述保護信號時輸出故障信號并發送待機提示信號至所述待機模塊，所述復位模塊用于復位所述保護信號。

8.如權利要求1所述的可控硅檢測保護裝置，其特征在于，所述可控硅檢測保護裝置還包括保護輸出電路，所述保護輸出電路與所述信號取樣與處理電路電連接，所述保護輸出電路用于接收所述保護信號時輸出報警信號或停機信號。