[發明專利]一種掩模板的存儲方法

在審

• 申請號: 201610163757.1
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN105573051A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 馬蘭濤;朱駿;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

技術領域

本發明涉及半導體集成電路制造技術領域，更具體地，涉及一種掩模板 的存儲方法。

背景技術

在集成電路制造技術中，在使用光掩模進行硅晶片光刻的過程中，當掩 模板被光刻機激光照射一定時間以后，尤其是193nm或者193nm以下波長光 源的照射下，在掩模板上會逐漸生成所謂的結晶缺陷(Haze)。結晶缺陷存 在于掩模板上會引發光刻缺陷，進而導致產品合格率降低。

因此，每當產生一定數量的結晶缺陷，就需要對掩模板進行清洗，這一 過程成本高、時間周期長。此外，由于材料損耗原因，一般掩模板的清洗次 數在3次左右就需要重新制板，這也導致了巨大的額外費用。

經過業界技術人員對結晶缺陷的不斷分析發現，結晶缺陷主要有硫化氨 結晶(AmmoniumSulfateHaze)和有機物結晶(OrganicHaze)兩種類型。 其中針對硫化氨結晶，通過使用低揮發性的生產材料和在存儲環境中充入干 燥純化空氣相結合的方式，可以有效地延緩硫化氨結晶缺陷的產生速率，目 前已經被業界廣泛使用。而有機物結晶卻不能夠被上述方法有效的降低，其 中主要的原因就是有機物結晶產生的速率太快。

在現有的掩模板存儲方式中，只是簡單地把掩模板放到專用的存儲環境 中，這些環境要么和大氣環境相同，要么就是被干燥純化空氣或氮氣營造了 一個相對純凈穩定的環境。根據實際檢測，在曝光結束后的一個小時左右， 有機物結晶就已經大批量的生成了，而在這段時間內，存儲環境中充入的干 燥純化空氣還不能夠把有機物氣體排出去。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的上述缺陷，提供一種掩模板的 存儲方法，通過對掩模板進行紫外光照射，可將掩模板上的有機物結晶激發 分解為氣體狀態，并通過氣體置換排凈。

為實現上述目的，本發明的技術方案如下：

一種掩模板的存儲方法，包括以下步驟：

步驟S01：將掩模板放入一存儲環境中；

步驟S02：對掩模板表面進行紫外光照射；

步驟S03：對存儲環境進行氣體置換。

優選地，通過在所述存儲環境設置紫外光光源產生紫外光，對掩模板表 面進行紫外光照射。

優選地，通過在所述存儲環境設置紫外光光源產生點狀紫外光，對掩模 板表面進行紫外光掃描照射。

優選地，通過在所述存儲環境設置紫外光光源產生發散狀紫外光，對掩 模板整體表面同時進行紫外光照射。

優選地，所述紫外光的波長包含所有的紫外線波長。

優選地，所述紫外光的波長為193納米。

優選地，對掩模板表面進行紫外光持續照射或者周期性照射。

優選地，所述掩模板包括基板，所述基板具有圖形的一側表面設有保護 膜，所述保護膜帶有氣孔，紫外光照射方向為從掩模板的保護膜一側向基板 方向照射。

優選地，通過向存儲環境中持續通入置換氣體，對存儲環境進行氣體置 換。

優選地，所述置換氣體包括干燥純化空氣或者氮氣。

從上述技術方案可以看出，本發明通過對放置在存儲環境中的掩模板所 有表面區域進行紫外光持續照射或者周期性照射，可將掩模板上的有機物結 晶激發分解為氣體狀態，并被存儲環境中充入的置換氣體排凈，從而可有效 地降低掩模板的有機物結晶缺陷，保障了掩模板的存放和使用安全，并延長 了掩模板的使用壽命。

附圖說明

圖1是本發明一種掩模板的存儲方法流程圖；

圖2是本發明一較佳實施例中根據圖1的方法對一掩模板進行紫外光照 射時的結構狀態示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明的具體實施方式作進一步的詳細說明。

需要說明的是，在下述的具體實施方式中，在詳述本發明的實施方式 時，為了清楚地表示本發明的結構以便于說明，特對附圖中的結構不依照一 般比例繪圖，并進行了局部放大、變形及簡化處理，因此，應避免以此作為 對本發明的限定來加以理解。