[發明專利]一種掩模板的存儲方法在審
| 申請號： | 201610163757.1 | 申請日： | 2016-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN105573051A | 公開（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發明（設計）人： | 馬蘭濤;朱駿;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/82 | 分類號： | G03F1/82 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 模板 存儲 方法 | ||
1.一種掩模板的存儲方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S01：將掩模板放入一存儲環境中；
步驟S02：對掩模板表面進行紫外光照射；
步驟S03：對存儲環境進行氣體置換。
2.根據權利要求1所述的掩模板的存儲方法，其特征在于，通過在所 述存儲環境設置紫外光光源產生紫外光，對掩模板表面進行紫外光照射。
3.根據權利要求2所述的掩模板的存儲方法，其特征在于，通過在所 述存儲環境設置紫外光光源產生點狀紫外光，對掩模板表面進行紫外光掃描 照射。
4.根據權利要求2所述的掩模板的存儲方法，其特征在于，通過在所 述存儲環境設置紫外光光源產生發散狀紫外光，對掩模板整體表面同時進行 紫外光照射。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的掩模板的存儲方法，其特征在于， 所述紫外光的波長包含所有的紫外線波長。
6.根據權利要求5所述的掩模板的存儲方法，其特征在于，所述紫外 光的波長為193納米。
7.根據權利要求1-4任意一項所述的掩模板的存儲方法，其特征在于， 對掩模板表面進行紫外光持續照射或者周期性照射。
8.根據權利要求1-4任意一項所述的掩模板的存儲方法，其特征在于， 所述掩模板包括基板，所述基板具有圖形的一側表面設有保護膜，所述保護 膜帶有氣孔，紫外光照射方向為從掩模板的保護膜一側向基板方向照射。
9.根據權利要求1-4任意一項所述的掩模板的存儲方法，其特征在于， 通過向存儲環境中持續通入置換氣體，對存儲環境進行氣體置換。
10.根據權利要求9所述的掩模板的存儲方法，其特征在于，所述置換 氣體包括干燥純化空氣或者氮氣。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
