[發(fā)明專利]一種高隔熱納米陶瓷粉體及其制備方法和用途在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610162831.8 | 申請日: | 2016-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN107215851A | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周振平;葉航;肖琳 | 申請(專利權(quán))人: | 納琳威納米科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C01B21/076 | 分類號: | C01B21/076;C04B35/58 |
| 代理公司: | 上海天協(xié)和誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務所31216 | 代理人: | 湯俊明 |
| 地址: | 200433 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 隔熱 納米 陶瓷 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種高隔熱納米陶瓷粉體,其特征在于,所述納米陶瓷粉體是指氮化鈦納米陶瓷粉體,它對紅外波段的阻隔率高于90%。
2.如權(quán)利要求1所述高隔熱米陶瓷粉體,其特征在于,所述納米陶瓷粉體在950納米波段處的阻隔率高于95%。
3.如權(quán)利要求1所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
a) 將含有鈦的原料溶入到易揮發(fā)性的溶劑中;
b) 向上述溶劑加入含有氮的原料,攪拌至澄清透明;
c)蒸發(fā)上述混合物中易揮發(fā)的溶劑,得到固體沉淀;
d)將得到的固體在惰性氣氛或還原性氣氛中熱處理。
4.如權(quán)利要求3所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟a)中鈦的原料選自鈦的有機原料或無機原料。
5.如權(quán)利要求4所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述鈦的有機原料包括鈦酸四乙酯、鈦酸四丙酯、鈦酸四丁酯或鈦酸異丙酯。
6.如權(quán)利要求4所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述鈦的無機原料包括:三氟化鈦、四氟化鈦、三氯化鈦或四氯化鈦。
7.如權(quán)利要求4所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所訴易揮發(fā)的溶劑包括:甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、三氯甲烷,四氯甲烷,丙酮、甲醚或乙醚。
8.如權(quán)利要求4所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述步驟b所述含氮的原料包括二甲胺、三甲胺、二乙醇胺、三乙醇胺、乙胺、乙二胺、丙二胺、己二胺、叔胺類、季胺類,六甲基四乙胺,尿素或硫脲。
9.如權(quán)利要求4所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法, 其特征在于,所述的步驟d)所用的惰性氣體包括氮氣、氬氣、氫氣、氮氫混合氣、氬氫混合氣、氨氣、氮氨混合氣、氬氨混合氣。
10.如權(quán)利要求4所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于:步驟d)中的熱處理溫度為400~1500℃,熱處理時間為5~1200分鐘。
11.如權(quán)利要求4所述的高隔熱納米陶瓷粉體的制備方法,其特征在于:所述特處理溫度為500到1200℃,熱處理時間是30~600分鐘。
12.一種以權(quán)利要求1~11任一項所述的具有高隔熱納米陶瓷粉體制備的涂料或薄膜。
13.如權(quán)利要求12所述的涂料或薄膜在節(jié)能貼膜、節(jié)能玻璃、塑料、紡織中的應用。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于納琳威納米科技(上海)有限公司,未經(jīng)納琳威納米科技(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610162831.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種抽真空回吸罐裝裝置
- 下一篇:一種生產(chǎn)硝酸的裝置及其方法





