[發(fā)明專利]一種氮化鋁基質(zhì)的熒光陶瓷的制備方法及相關(guān)熒光陶瓷有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610160983.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107200589B | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李乾;許顏正 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳光峰科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/581 | 分類號(hào): | C04B35/581;C04B35/622 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 基質(zhì) 熒光 陶瓷 制備 方法 相關(guān) | ||
一種氮化鋁基質(zhì)的熒光陶瓷的制備方法及相關(guān)熒光陶瓷。本發(fā)明保護(hù)一種氮化鋁基質(zhì)的熒光陶瓷的制備方法,依序包括以下步驟:混料:將粒徑為0.1~1μm的氮化鋁與粒徑為10~30μm的熒光粉混合,得到氮化鋁?熒光粉漿料;除雜:將漿料干燥,然后將其煅燒,獲得氮化鋁?熒光粉粉末;熱處理:將粉末熱處理,得到熒光陶瓷,其中,氮化鋁?熒光粉粉末在熱處理前和/或熱處理中經(jīng)過(guò)5MPa以上高壓處理,熱處理溫度為1500~1850℃,在無(wú)氧氣氛下進(jìn)行。該制備方法使得在制備過(guò)程中熒光粉保持晶體新貌不變的情況下,氮化鋁進(jìn)入液相,得到致密、低孔隙率的熒光陶瓷,極大的提高了熒光陶瓷的導(dǎo)熱性能和發(fā)光效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及熒光陶瓷領(lǐng)域,特別是涉及一種氮化鋁基質(zhì)的熒光陶瓷的制備方法及相關(guān)熒光陶瓷。
背景技術(shù)
藍(lán)色激光激發(fā)熒光材料獲得可見光的技術(shù),隨著激光顯示技術(shù)的發(fā)展不斷獲得重視,當(dāng)前的研究大方向主要是針對(duì)激光激發(fā)熒光粉的特性來(lái)開發(fā)新型的熒光材料(波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料),主要的要求是發(fā)光亮度高、能夠承受大功率激光照射、光學(xué)轉(zhuǎn)換效率高、導(dǎo)熱性能高等特點(diǎn)。
傳統(tǒng)的熒光陶瓷主要針對(duì)LED的發(fā)光特性開發(fā),由于LED芯片的功率較小,發(fā)出的藍(lán)光功率密度較低,因此針對(duì)LED開發(fā)的發(fā)光陶瓷的發(fā)光效率并沒(méi)有得到足夠的重視。比如常見的YAG熒光陶瓷主要由原料粉末Al2O3、Y2O3、CeO2煅燒后,壓力機(jī)下壓制成片,然后燒結(jié)得到熒光陶瓷。由于熒光陶瓷一般覆蓋LED表面,需追求一定的透光性能,因此YAG熒光陶瓷比較偏向透光度性能,其中的晶粒成長(zhǎng)程度較低,導(dǎo)致其發(fā)光亮度偏低。此外,傳統(tǒng)的YAG陶瓷的熱導(dǎo)率也相對(duì)較低,一般為10~14W/(m·K),隨著激光光源技術(shù)的發(fā)展,光源功率越來(lái)越大,要求光轉(zhuǎn)換材料具有更高的熱導(dǎo)性能,能夠?qū)⒐廪D(zhuǎn)化過(guò)程中產(chǎn)生的大量熱量迅速的傳遞出去。
因此,一種獲得高熱導(dǎo)率、高發(fā)光效率的熒光陶瓷的制備方法亟待開發(fā)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中,制備得到的熒光陶瓷熱導(dǎo)率低、發(fā)光效率低的缺陷,本發(fā)明提供一種獲得高熱導(dǎo)率、高發(fā)光效率的熒光陶瓷的制備方法,依序包括以下步驟:
混料:將氮化鋁、熒光粉與研磨溶劑均勻混合,得到氮化鋁-熒光粉漿料,氮化鋁的粒徑為0.1~1μm,熒光粉的粒徑為10~30μm;除雜:將氮化鋁-熒光粉漿料干燥,然后將其在有氧氣氛下煅燒,除去其中的水和有機(jī)物,獲得氮化鋁-熒光粉粉末;熱處理:將氮化鋁-熒光粉粉末熱處理,得到熒光陶瓷,其中,該氮化鋁-熒光粉粉末在熱處理前和/或熱處理中經(jīng)過(guò)5MPa以上高壓處理,使氮化鋁-熒光粉粉末保持致密,熱處理溫度為1500~1850℃,熱處理在無(wú)氧氣氛下進(jìn)行。
優(yōu)選地,熒光粉包括YAG:Ce3+或LuAG:Ce3+。
優(yōu)選地,熒光粉占氮化鋁-熒光粉粉末的質(zhì)量百分比為15~90%
優(yōu)選地,混料步驟包括,將氮化鋁、熒光粉、研磨溶劑、增稠劑和陶瓷分散劑混合后球磨。
優(yōu)選地,混料步驟包括,首先將氮化鋁與所述研磨溶劑、增稠劑和陶瓷分散劑混合球磨,然后加入熒光粉,進(jìn)行二次球磨。
優(yōu)選地,除雜步驟包括,將氮化鋁-熒光粉漿料干燥獲得干粉,然后將其在有氧氣氛下煅燒,除去有機(jī)成分。
優(yōu)選地,在熱處理步驟前,包括將氮化鋁-熒光粉粉末造粒的步驟,得到顆粒大小為50~200μm的氮化鋁-熒光粉粉末。
優(yōu)選地,熱處理步驟中,熱處理在氮?dú)狻⒌獨(dú)鈿錃饣旌蠚狻⒍栊詺怏w或真空氣氛下進(jìn)行。
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