[發明專利]一種氮化鋁基質的熒光陶瓷的制備方法及相關熒光陶瓷

有效

• 申請號: 201610160983.4
• 申請日: 2016-03-18
• 公開（公告）號: CN107200589B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 李乾;許顏正
• 申請（專利權）人: 深圳光峰科技股份有限公司
• 主分類號: C04B35/581
• 分類號: C04B35/581;C04B35/622
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氮化鋁基質的熒光陶瓷的制備方法，其特征在于，依序包括以下步驟：

混料：將氮化鋁、熒光粉與研磨溶劑均勻混合，得到氮化鋁-熒光粉漿料，所述氮化鋁的粒徑為0.1～1μm，所述熒光粉的粒徑為10～30μm；所述粒徑為中位粒徑D50；

除雜：將所述氮化鋁-熒光粉漿料干燥，然后將其在有氧氣氛下煅燒，除去其中的水和有機物，獲得氮化鋁-熒光粉粉末；

熱處理：將所述氮化鋁-熒光粉粉末熱處理，得到熒光陶瓷，其中，該氮化鋁-熒光粉粉末在熱處理前和/或熱處理中經過5MPa以上高壓處理，使氮化鋁-熒光粉粉末保持致密，熱處理溫度為1500～1850℃，熱處理在無氧氣氛下進行。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述熒光粉包括YAG:Ce³⁺或LuAG:Ce³⁺。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述熒光粉占所述氮化鋁-熒光粉粉末的質量百分比為15～90％。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述混料步驟包括，將氮化鋁、熒光粉、研磨溶劑、增稠劑和陶瓷分散劑混合后球磨。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述混料步驟包括，首先將所述氮化鋁與所述研磨溶劑、增稠劑和陶瓷分散劑混合球磨，然后加入所述熒光粉，進行二次球磨。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述熱處理步驟前，包括將所述氮化鋁-熒光粉粉末造粒的步驟，得到顆粒大小為50～200μm的氮化鋁-熒光粉粉末。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述熱處理步驟中，熱處理在氮氣、氮氣氫氣混合氣、惰性氣體或真空氣氛下進行。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述熱處理步驟包括，將所述氮化鋁-熒光粉粉末在模具中5～40MPa一次高壓成型，然后在150～300MPa冷等靜壓二次高壓成型，取下模具，再將高壓成型后的氮化鋁-熒光粉粉末放入微波燒結爐，在1600～1850℃進行熱處理燒結。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述熱處理步驟包括，將所述氮化鋁-熒光粉粉末在模具中5～40MPa高壓預成型，然后將所述氮化鋁-熒光粉粉末連同模具一同放入熱壓燒結爐或放電等離子燒結爐中，在1500～1750℃進行熱處理燒結。

10.根據權利要求8或9所述的制備方法，其特征在于，在燒結步驟后，還包括對熒光陶瓷的還原處理步驟，該還原處理步驟在還原氣氛下進行，且還原處理步驟的溫度環境為1200～1650℃。

11.一種熒光陶瓷，其特征在于，該熒光陶瓷由權利要求1～10中任一項所述的制備方法制備。