[發明專利]襯底處理裝置以及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201610158951.0
• 申請日: 2016-03-18
• 公開（公告）號: CN106960806A
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 蘆原洋司
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 陳偉

技術領域

本發明涉及襯底處理裝置、半導體器件的制造方法、程序以及記錄介質。

背景技術

例如，在對半導體襯底實施規定處理的半導體制造裝置這樣的襯底處理裝置中，為了實現高生產率，存在具有多個腔室的裝置。例如存在呈放射狀配置腔室的集群型的裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-54536號公報

發明內容

在如前述的裝置那樣具有多個腔室的裝置中，具有在各腔室中對襯底實施高溫處理的情況。為了實現高溫處理，在各腔室的周圍設有加熱器。不過，在相鄰的腔室之間會受到熱影響，因此，考慮到會對在高溫下動作效率變差的閥等部件帶來不良影響。

本發明鑒于上述問題，目的在于提供一種在具有多個腔室的裝置中能夠實現高溫處理的技術。

本發明的一個技術方案可提供一種技術，包括：腔室，在其內側對襯底進行處理；氣體供給部，其向上述腔室交替地供給第一氣體和第二氣體；第一排氣配管，其對上述第一氣體和上述第二氣體進行排氣；加熱器，其設于上述第一排氣配管，將上述第一排氣配管加熱到比上述第一氣體在蒸氣壓下成為氣體的溫度高的溫度；處理模塊，其相鄰地設有多個上述腔室；電子設備系統，其以與收納上述第一排氣配管的一部分的氣體箱相鄰的方式配置，按每個上述腔室設置；和熱 量降低構造，其以將設于相鄰的上述腔室的多個上述第一排氣配管包圍的方式設置，降低從上述加熱器對上述電子設備系統的熱影響。

發明效果

根據本發明，能夠提供一種在具有多個腔室的裝置中能夠實現高溫處理的技術。

附圖說明

圖1是表示本發明的一個實施方式的襯底處理裝置的結構例的橫剖視圖。

圖2是表示本發明的一個實施方式的襯底處理裝置的結構例的圖1的α-α’處的縱剖視圖。

圖3是表示本發明的一個實施方式的模塊及其周邊的結構的說明圖。

圖4是說明本發明的一個實施方式的腔室及其周邊構造的圖。

圖5是本發明的一個實施方式的集群裝置的省略了腔室的俯視圖。

圖6是說明本發明的一個實施方式的襯底處理流程的圖。

圖7是說明本發明的一個實施方式的襯底處理流程的圖。

圖8是說明本發明的一個實施方式的氣體的狀況的圖。

圖9是說明本發明的一個實施方式的熱量降低構造、排氣管的圖。

附圖標記說明

100：襯底處理裝置

130：加載互鎖真空室

146：第一熱量降低構造

200：晶圓(襯底)

201a、201b、201c、201d：處理模塊

202a、202b、202c、202d：腔室

205：處理空間

340：氣體箱

343：第一排氣管

346：第二熱量降低構造

350：電子設備系統箱

354：第二排氣管

355：第三排氣管

356：第三熱量降低構造

具體實施方式

(第一實施方式)

以下，說明本發明的第一實施方式。

以下說明本實施方式的襯底處理裝置。

(1)襯底處理裝置的結構

使用圖1、圖2來對本發明的一個實施方式的襯底處理裝置的概要結構進行說明。圖1是表示本實施方式的襯底處理裝置的結構例的橫剖視圖。圖2是表示本實施方式的襯底處理裝置的結構例的圖1的α-α’處的縱剖視圖。

在圖1和圖2中，應用本發明的襯底處理裝置100對作為襯底的晶圓200進行處理，主要由IO載物臺110、大氣搬送室120、加載互鎖真空室130、真空搬送室140、模塊201構成。接下來對各構成具體地進行說明。在圖1的說明中，對于前后左右，X1方向為右，X2方向為左，Y1方向為前，Y2方向為后。

(大氣搬送室、IO載物臺)

在襯底處理裝置100的近前設置有IO載物臺(裝載部)110。在IO載物臺110上搭載有多個容器(pod)111。容器111被用作搬送硅(Si)襯底等晶圓200的承載件(carrier)，構成為，在容器111內分別以水平姿態容納有多個未處理的晶圓200或多個處理完畢的晶圓200。