[發(fā)明專利]襯底處理裝置以及半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610158951.0
• 申請日: 2016-03-18
• 公開（公告）號: CN106960806A
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘆原洋司
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 陳偉

1.一種襯底處理裝置，包括：

腔室，在其內(nèi)側(cè)對襯底進(jìn)行處理；

氣體供給部，其向所述腔室交替地供給第一氣體和第二氣體；

第一排氣配管，其對所述第一氣體和所述第二氣體進(jìn)行排氣；

加熱器，其設(shè)于所述第一排氣配管，將所述第一排氣配管加熱到比所述第一氣體的原料在蒸氣壓下成為氣體的溫度高的溫度；

處理模塊，其相鄰地設(shè)有多個(gè)所述腔室；

電子設(shè)備系統(tǒng)，其以與收納所述第一排氣配管的一部分的氣體箱相鄰的方式配置，按每個(gè)所述腔室設(shè)置；和

熱量降低構(gòu)造，其以將設(shè)于相鄰的所述腔室的多個(gè)所述第一排氣配管包圍的方式設(shè)置，降低從所述加熱器對所述電子設(shè)備系統(tǒng)的熱影響。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

在所述排氣管的泵上設(shè)有第二排氣管，該第二排氣管的下游與除害裝置連接，在所述第二排氣管設(shè)有能夠?qū)⑺龅诙艢夤茉O(shè)定為比所述第一排氣管的溫度高的溫度的加熱器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一排氣管的一部分為彎頭形狀，所述熱量降低構(gòu)造構(gòu)成為至少包圍所述彎頭形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一排氣管的一部分為彎頭形狀，所述熱量降低構(gòu)造構(gòu)成為至少包圍所述彎頭形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述襯底處理裝置具有真空搬送室和多個(gè)所述處理模塊，

所述多個(gè)處理模塊以所述真空搬送室為中心呈放射狀配置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理裝置，其中，

所述襯底處理裝置具有真空搬送室和多個(gè)所述處理模塊，

所述多個(gè)處理模塊以所述真空搬送室為中心呈放射狀配置。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置，其中，

在所述真空搬送室的內(nèi)部中央配置有真空搬送機(jī)械手，并且，在所述真空搬送室的外部設(shè)有所述真空搬送機(jī)械手的軸，在所述軸的周圍設(shè)有熱量降低構(gòu)造。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理裝置，其中，

在所述真空搬送室的內(nèi)部中央配置有真空搬送機(jī)械手，并且，在所述真空搬送室的外部設(shè)有所述真空搬送機(jī)械手的軸，在所述軸的周圍設(shè)有熱量降低構(gòu)造。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其中，

所述熱量降低構(gòu)造為圓柱狀。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置，其中，

所述熱量降低構(gòu)造為圓柱狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述熱量降低構(gòu)造具有構(gòu)成真空空間的隔間，在所述隔間內(nèi)設(shè)有對氣體環(huán)境進(jìn)行控制的氣體環(huán)境控制部。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理裝置，其中，

所述熱量降低構(gòu)造具有構(gòu)成真空空間的隔間，在所述隔間內(nèi)設(shè)有對氣體環(huán)境進(jìn)行控制的氣體環(huán)境控制部。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其中，

所述熱量降低構(gòu)造具有構(gòu)成真空空間的隔間，在所述隔間內(nèi)設(shè)有對氣體環(huán)境進(jìn)行控制的氣體環(huán)境控制部。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其中，

在所述氣體環(huán)境控制部設(shè)有第三排氣管，所述第一排氣管和所述第三排氣管在下游側(cè)與排氣泵連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的襯底處理裝置，其中，

在所述氣體環(huán)境控制部設(shè)有第三排氣管，所述第一排氣管和所述第三排氣管在下游側(cè)與排氣泵連接。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一氣體為具有鹵化物的原料氣體，所述第二氣體為與所述鹵化物氣體發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一排氣管構(gòu)成為，一端與所述腔室連接，另一端與排氣控制部連接，所述一端與所述另一端之間的主部配置于所述處理腔室的下方。

18.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下工序：

向襯底處理裝置中的各腔室搬入襯底的工序，該襯底處理裝置包括：所述腔室，其在內(nèi)側(cè)對襯底進(jìn)行處理；氣體供給部，其向所述腔室交替地供給第一氣體和第二氣體；第一排氣配管，其對所述第一氣體和所述第二氣體進(jìn)行排氣；處理模塊，其相鄰地設(shè)有多個(gè)所述腔室；電子設(shè)備系統(tǒng)，其以與收納所述第一排氣配管的一部分的氣體箱相鄰的方式配置，按每個(gè)所述腔室設(shè)置；和熱量降低構(gòu)造，其以將設(shè)于相鄰的所述腔室的多個(gè)所述第一排氣配管包圍的方式設(shè)置，降低從所述加熱器對所述電子設(shè)備系統(tǒng)的熱影響；以及

向各所述腔室交替地供給所述第一氣體和所述第二氣體、并且在將所述第一排氣管加熱到比所述第一氣體的原料在蒸氣壓下成為氣體的溫度高的溫度的狀態(tài)下對所述第一氣體或者所述第二氣體進(jìn)行排氣的工序。