[發明專利]一種應用于集成電路的靜電放電ESD保護電路

有效

• 申請號: 201610154495.2
• 申請日: 2016-03-17
• 公開（公告）號: CN107204326B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 安建宏
• 申請（專利權）人: 電信科學技術研究院
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉醒晗

1.一種應用于集成電路的靜電放電ESD保護電路，其特征在于，包括：主ESD保護電路、電阻和從ESD保護電路；

所述主ESD保護電路中至少包括高壓N溝道金屬氧化物半導體場效應MOS管，所述高壓N溝道MOS管的柵極、源極和體端連接到地，所述高壓N溝道MOS管的漏極連接集成電路的引腳焊盤PAD；

所述從ESD保護電路中至少包括低壓N溝道MOS晶體管，所述低壓N溝道MOS管的柵極、源極和體端連接到地，所述低壓N溝道MOS管的漏極通過所述電阻連接到所述高壓N溝道MOS管的漏極，并連接到所述集成電路內部被保護的電路；

其中，所述主ESD保護電路中還包括高壓P溝道MOS管，所述高壓P溝道MOS管的柵極、源極和體端連接到電源正極，所述高壓P溝道MOS管的漏極連接到所述高壓N溝道MOS管的漏極；

所述從ESD保護電路中還包括低壓P溝道MOS管，所述低壓P溝道MOS管的柵極、源極和體端連接到電源正極，所述低壓P溝道MOS管的漏極連接到所述低壓N溝道MOS管的漏極。

2.如權利要求1所述的ESD保護電路，其特征在于，所述高壓N溝道MOS管的工作電壓高于或等于5V。

3.如權利要求1所述的ESD保護電路，其特征在于，所述低壓N溝道MOS管的工作電壓低于或等于1.8V。

4.如權利要求1所述的ESD保護電路，其特征在于，所述高壓N溝道MOS管為高壓N溝道增強型MOS管；所述低壓N溝道MOS管為低壓N溝道增強型MOS管。

5.如權利要求1所述的ESD保護電路，其特征在于，所述電阻為阻值量級在百K歐姆范圍內的限流電阻。

6.如權利要求5所述的ESD保護電路，其特征在于，所述限流電阻為多晶硅電阻或擴散電阻。

7.如權利要求1所述的ESD保護電路，其特征在于，所述高壓N溝道MOS管的柵極與地之間還串聯有電阻。