[發明專利]OLED器件的封裝方法與OLED封裝結構有效
| 申請號: | 201610154164.9 | 申請日: | 2016-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN105679969B | 公開(公告)日: | 2017-11-28 |
| 發明(設計)人: | 錢佳佳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 器件 封裝 方法 結構 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED器件的封裝方法與OLED封裝結構。
背景技術
OLED即有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode),具備自發光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性,因此受到廣泛的關注,并作為新一代的顯示方式,已開始逐漸取代傳統的液晶顯示器(LCD,Liquid Crystal Display),被廣泛應用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。
封裝是OLED器件制造過程中至關重要的一個環節,由于空氣中的水、氧等成分對OLED結構中的有機發光材料的壽命影響很大,所以封裝的優劣程度直接影響其密封性,進而導致產品使用壽命和質量發生較大的變化。因此,封裝技術是左右OLED器件質量的重要技術。
目前OLED器件的封裝主要采用硬質封裝基板(如玻璃或金屬)通過封裝膠封裝,但是該方法不適用于柔性器件,因此也有技術方案通過疊層薄膜(阻水性好的阻擋層(barrier layer)和柔韌性好的緩沖層(buffer layer)來封裝。圖1為現有的一種OLED封裝結構的示意圖,如圖1所示,該OLED封裝結構包括TFT基板100、設于所述TFT基板100上的OLED器件200、以及設于所述OLED器件200及TFT基板100上的數層交錯設置的阻擋層300與緩沖層400,其中所述阻擋層300的作用是阻擋水氧侵入,所述緩沖層400的作用是增加滲透通道長度,釋放阻擋層300間應力,覆蓋不可避免的顆粒(particle)的作用,本身不具有阻水機制;因此,阻擋層300一定要大于并且完全包覆緩沖層400,否則水汽可通過緩沖層400侵入,由此造成封裝結構的性能劣化。上述OLED封裝結構中,由于阻擋層300與緩沖層400的大小不同,因此在制作時采用的光罩不同,從而使得該OLED封裝結構的制程中采用的光罩數量較多,制程復雜,且生產成本較高,同時制得的OLED封裝結構的密封性差,容易造成水汽和氧氣滲入,導致OLED器件的性能較快退化,壽命縮短。
因此,有必要提出一種OLED器件的封裝方法與OLED封裝結構,以解決上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED器件的封裝方法,可簡化封裝制程,并且對OLED器件形成密封性極強的封裝效果,從而避免水汽侵入,提高OLED器件的性能,延長OLED器件的使用壽命。
本發明的目的還在于提供一種OLED封裝結構,制程簡單,且密封性極強,可提高OLED器件的性能,延長OLED器件的使用壽命。
為實現上述目的,本發明提供一種OLED器件的封裝方法,包括以下步驟:
步驟1、提供一TFT基板,在所述TFT基板上形成OLED器件、以及位于所述OLED器件外圍的一圈擋墻;
步驟2、在所述TFT基板上被所述擋墻包圍的區域內形成覆蓋OLED器件的第一阻擋層,在所述第一阻擋層上形成一緩沖層;
步驟3、重復所述步驟2的操作數次,直至最外層的緩沖層的上表面接近或者平齊于所述擋墻的頂部表面,從而得到由數層第一阻擋層與數層緩沖層交錯疊加構成的疊層薄膜;
步驟4、在所述疊層薄膜上形成一第二阻擋層,所述第二阻擋層完全覆蓋所述疊層薄膜以及所述擋墻的頂部,從而完成對OLED器件的封裝。
所述步驟1的具體實施方式包括以下步驟:
步驟11、提供一TFT基板,在所述TFT基板上采用蒸鍍方法形成OLED器件;
步驟12、在所述TFT基板上設置擋墻的形成區域,采用一道光罩遮擋所述TFT基板上除該區域以外的其它區域,通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板上沉積無機材料,在OLED器件的外圍區域上形成一圈擋墻。
所述步驟1的具體實施方式包括以下步驟:
步驟11’、通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板上沉積無機材料,形成覆蓋所述TFT基板的一無機材料層,采用一道光刻制程對所述無機材料層進行圖形化處理,得到位于所述TFT基板的周邊位置的一圈擋墻;
步驟12’、在所述TFT基板上被所述擋墻包圍的區域內采用蒸鍍方法形成OLED器件。
所述步驟2和步驟3中,所述第一阻擋層的制作方法為:在所述TFT基板上設置第一阻擋層的形成區域,采用一道光罩遮擋所述TFT基板上除該區域以外的其它區域,通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板上沉積無機材料,形成第一阻擋層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





