[發明專利]OLED器件的封裝方法與OLED封裝結構

有效

• 申請號: 201610154164.9
• 申請日: 2016-03-17
• 公開（公告）號: CN105679969B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 錢佳佳
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種OLED器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供一TFT基板(10)，在所述TFT基板(10)上形成OLED器件(20)、以及位于所述OLED器件(20)外圍的一圈擋墻(30)；

步驟2、在所述TFT基板(10)上被所述擋墻(30)包圍的區域內形成覆蓋OLED器件(20)的第一阻擋層(40)，在所述第一阻擋層(40)上形成一緩沖層(50)；

步驟3、重復所述步驟2的操作數次，直至最外層的緩沖層(50)的上表面接近或者平齊于所述擋墻(30)的頂部表面，從而得到由數層第一阻擋層(40)與數層緩沖層(50)交錯疊加構成的疊層薄膜；

步驟4、在所述疊層薄膜上形成一第二阻擋層(60)，所述第二阻擋層(60)完全覆蓋所述疊層薄膜以及所述擋墻(30)的頂部，從而完成對OLED器件(20)的封裝；

所述步驟1的具體實施方式包括以下步驟：

步驟11、提供一TFT基板(10)，在所述TFT基板(10)上采用蒸鍍方法形成OLED器件(20)；

步驟12、在所述TFT基板(10)上設置擋墻的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板(10)上除該區域以外的其它區域，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板(10)上沉積無機材料，在OLED器件(20)的外圍區域上形成一圈擋墻(30)。

2.如權利要求1所述的OLED器件 的封裝方法，其特征在于，所述步驟2和步驟3中，所述第一阻擋層(40)的制作方法為：在所述TFT基板(10)上設置第一阻擋層的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板(10)上除該區域以外的其它區域，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板(10)上沉積無機材料，形成第一阻擋層(40)。

3.如權利要求1所述的OLED器件 的封裝方法，其特征在于，所述步驟2和步驟3中，所述緩沖層(50)的制作方法為：在所述TFT基板(10)上設置緩沖層(50)的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板(10)上除該區域以外的其它區域，通過打印、蒸鍍、或等離子體增強化學氣相沉積法在所述TFT基板(10)上沉積有機材料，形成緩沖層(50)。

4.如權利要求1所述的OLED器件 的封裝方法，其特征在于，所述第一阻擋層(40)與緩沖層(50)的面積均等于所述TFT基板(10)上被所述擋墻(30)包圍的區域的面積。

5.一種OLED器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供一TFT基板(10)，在所述TFT基板(10)上形成OLED器件(20)、以及位于所述OLED器件(20)外圍的一圈擋墻(30)；

步驟2、在所述TFT基板(10)上被所述擋墻(30)包圍的區域內形成覆蓋OLED器件(20)的第一阻擋層(40)，在所述第一阻擋層(40)上形成一緩沖層(50)；

步驟3、重復所述步驟2的操作數次，直至最外層的緩沖層(50)的上表面接近或者平齊于所述擋墻(30)的頂部表面，從而得到由數層第一阻擋層(40)與數層緩沖層(50)交錯疊加構成的疊層薄膜；

步驟4、在所述疊層薄膜上形成一第二阻擋層(60)，所述第二阻擋層(60)完全覆蓋所述疊層薄膜以及所述擋墻(30)的頂部，從而完成對OLED器件(20)的封裝；

所述步驟1的具體實施方式包括以下步驟：

步驟11’、通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板(10)上沉積無機材料，形成覆蓋所述TFT基板(10)的一無機材料層，采用一道光刻制程對所述無機材料層進行圖形化處理，得到位于所述TFT基板(10)的周邊位置的一圈擋墻(30)；

步驟12’、在所述TFT基板(10)上被所述擋墻(30)包圍的區域內采用蒸鍍方法形成OLED器件(20)。

6.如權利要求5所述的OLED器件 的封裝方法，其特征在于，所述步驟2和步驟3中，所述第一阻擋層(40)的制作方法為：在所述TFT基板(10)上設置第一阻擋層的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板(10)上除該區域以外的其它區域，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板(10)上沉積無機材料，形成第一阻擋層(40)。