[發(fā)明專利]一種鐵基單晶超導(dǎo)微橋的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610152652.6
• 申請(qǐng)日: 2016-03-17
• 公開（公告）號(hào): CN105742478B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王華兵;楊志保;孫漢聰;呂陽陽;李軍;吳培亨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L39/24
• 分類號(hào): H01L39/24
• 代理公司: 南京申云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32274
• 代理人: 邱興天

1.一種鐵基單晶超導(dǎo)體微橋的制備方法，其特征在于：在平整的鐵基超導(dǎo)單晶表面直接光刻圖形，通過氬離子束刻蝕控制樣品厚度，運(yùn)用翻面技術(shù)，經(jīng)過解理、熱蒸發(fā)金電極、光刻微橋圖形和離子束刻蝕，就可以得到理想厚度的鐵基超導(dǎo)單晶微橋樣品；具體包括以下步驟：

1)選用一塊鐵基超導(dǎo)FeTeSe單晶，用epoxy膠粘黏到硅基片上，使單晶的平整一面與硅片相貼合；把粘貼好的樣品置于110℃烘臺(tái)上烘烤1.5小時(shí)，使膠完全固化；

2)等樣品完全固定在硅基片后，用透明膠帶解理出新鮮平整的單晶平面，通過紫外光刻技術(shù)，做出一個(gè)長度為230μm、寬度為210μm的圖形；

3)選用的光刻膠為AZ1500，旋涂條件為：勻膠機(jī)低轉(zhuǎn)速600r/min，高轉(zhuǎn)速6000r/min，光刻膠厚度為800nm；

4)把光刻后的樣品放入氬離子束刻蝕機(jī)中，刻蝕6分鐘；把刻蝕好的樣品置入丙酮中去除光刻膠，形成了一個(gè)厚度為90nm mesa結(jié)構(gòu)；

5)通過翻面技術(shù)把樣品轉(zhuǎn)移粘貼到干凈的氧化鎂基底4上，用epoxy膠固定并置于90℃的烘臺(tái)上烘烤2小時(shí)，使膠完全固化；

6)把翻面后的樣品重新用透明膠帶解理，將頂層的大塊單晶去掉，直至解理到只剩下mesa單晶，然后把樣品迅速放入蒸金儀中熱蒸發(fā)一層厚度為50nm金膜作為電極；

7)利用紫外曝光光刻技術(shù)，在電極上刻出一個(gè)寬度為4μm，長度為20μm六端子圖形的微橋；

8)把光刻好的樣品放入離子束刻蝕機(jī)中，氬離子銑樣品12分鐘，把未被光刻膠保護(hù)的單晶全部刻蝕掉；

9)在丙酮中去除電極頂部的光刻膠后，再次通過光刻技術(shù)和離子束刻蝕技術(shù)去除微橋上的金膜，形成最終的FeTeSe超導(dǎo)單晶微橋。