[發明專利]OLED顯示面板以及OLED顯示面板的制造方法有效
| 申請號: | 201610149683.6 | 申請日: | 2016-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN107204352B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 張婷婷;黃秀頎;胡思明;朱暉;朱濤 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余毅勤 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 以及 制造 方法 | ||
本發明提供了一種OLED顯示面板以及OLED顯示面板的制造方法,包括掃描線、數據線和電源線VDD,所述掃描線和數據線定義了以矩陣方式排列的多個像素組,每個像素組內具有兩個子像素,同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線VDD并沿該電源線VDD鏡像排列,且同一像素組內的兩個子像素各自連接的數據線位于不同結構層上。一方面,可有效減少數據線之間發生短路的幾率,且大幅度消除數據線之間的串擾;另一方面,也可基于現有設備和工藝條件縮小像素面積,提升OLED顯示面板的PPI,提高OLED顯示面板的分辨率。
技術領域
本發明涉及顯示器技術領域,特別涉及一種OLED顯示面板以及OLED顯示面板的制造方法。
背景技術
隨著信息社會的發展,人們對顯示設備的需求日益增長。為了滿足這種要求,各種平板顯示裝置如薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、等離子體顯示器(PDP)、有機發光二極管(OLED)顯示器都得到了迅猛的發展。在這些平板顯示裝置當中,OLED顯示器由于具有主動發光、對比度高、響應速度快、輕薄等諸多優點,正在逐步占據平板顯示的主導地位。目前,OLED顯示器已經廣泛應用于手機、電視、電腦以及智能手表等各種高性能顯示領域中。
圖1為傳統的OLED顯示面板的像素電路圖。如圖1所示,在現有的OLED顯示面板中,最基本的像素電路包括開關晶體管T1、驅動晶體管T2和存儲電容Cs,所述開關晶體管T1的柵極與掃描線Sn連接,所述開關晶體管T1的源極與數據線Dm連接,所述開關晶體管T1的漏極、驅動晶體管T2的柵極和存儲電容Cs的第一基板均連接于節點N1,所述驅動晶體管T2的源極和存儲電容Cs的第二基板均與第一電源VDD連接,所述驅動晶體管T2的漏極與所述有機發光二極管OLED的陽極連接,所述有機發光二極管OLED的陰極與第二電源VSS連接。通過掃描線Sn打開所述開關晶體管T1時,數據線Dm提供的數據電壓經由所述開關晶體管T1存儲到存儲電容Cs,從而控制所述驅動晶體管T2產生電流,以驅動所述有機發光二極管OLED發光。
隨著生活水平的不斷提高和生產力水平的日益改進,市場對高清晰、高分辨率產品的追求也越來越迫切。然而,傳統的OLED顯示面板的分辨率一般在250PPI以下(PPI表示每英寸所擁有的像素數目,PPI數值越高,代表顯示器能夠以越高的像素密度顯示圖像),已經無法滿足人們對于高分辨率顯示器的追求。這是因為分辨率的提高要求同層間距比如相鄰數據線之間的距離縮小,然而目前的OLED中相鄰的像素單元的數據線通常設置在同一結構層上,基于現有的工藝條件(比如光刻機的曝光限制),很難進一步縮小相鄰數據線之間的距離,從而導致OLED顯示面板的分辨率難以提高。除了光刻機的曝光限制之外,數據線串擾和數據線短路也是生產高分辨率的OLED必須解決的技術難題。數據線串擾是指兩條數據線之間的耦合,兩條數據線之間的互感和互容會引起數據線出現噪聲,研究表明,兩條數據線上電流強度相同時,兩條數據線間的距離越近,彼此之間的串擾效應越明顯。數據線短路是指兩條數據線之間彼此相連,使像素電極無法接收到正常信號而產生不良。在相同工藝條件下,兩條數據線間的距離越近,彼此之間發生短路的幾率越大。
發明內容
本發明的目的在于解決現有的有機發光顯示器的分辨率低的問題。
本發明的另一目的在于消除有機發光顯示器的數據線之間的串擾和短路現象。
為解決上述技術問題,本發明提供一種OLED顯示面板,包括形成于一基板上的掃描線、數據線和電源線,所述掃描線和數據線定義了以矩陣方式排列的多個像素組,每個像素組內具有兩個子像素,同一像素組內的兩個子像素連接同一電源線并沿該電源線鏡像排列,且同一像素組內的兩個子像素各自連接的數據線位于不同結構層上。
可選的,在所述的OLED顯示面板中,每個像素組內的兩個子像素分別為第一子像素和第二子像素,所述第一子像素包括第一存儲電容,所述第二子像素包括第二存儲電容。
可選的,在所述的OLED顯示面板中,所述第一存儲電容的上極板和第二存儲電容的上極板位于不同結構層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





