[發(fā)明專利]OLED顯示面板以及OLED顯示面板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610149683.6 | 申請日: | 2016-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN107204352B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張婷婷;黃秀頎;胡思明;朱暉;朱濤 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余毅勤 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示 面板 以及 制造 方法 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括形成于一基板上的掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線,所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義了以矩陣方式排列的多個像素組,每個像素組內(nèi)具有兩個子像素,同一像素組內(nèi)的兩個子像素連接同一電源線并沿該電源線鏡像排列,且同一像素組內(nèi)的兩個子像素各自連接的數(shù)據(jù)線位于不同結(jié)構(gòu)層上;每個像素組內(nèi)的兩個子像素分別為第一子像素和第二子像素,所述第一子像素包括第一存儲電容,所述第二子像素包括第二存儲電容,所述第一存儲電容的上極板和第二存儲電容的上極板位于不同結(jié)構(gòu)層上,其中,所述第一子像素還包括第一開關(guān)晶體管和第一驅(qū)動晶體管,所述第二子像素還包括第二開關(guān)晶體管和第二驅(qū)動晶體管,所述第一開關(guān)晶體管的源極連接第一數(shù)據(jù)線,所述第二開關(guān)晶體管的源極連接第二數(shù)據(jù)線,所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二存儲電容的上極板設(shè)置在同一層,所述第二數(shù)據(jù)線和所述第一存儲電容的上極板設(shè)置在同一層。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和電源線相互平行,所述掃描線與所述電源線相互垂直,并且,所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線、所述第一存儲電容和第二存儲電容、所述第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管、所述第一驅(qū)動晶體管和第二驅(qū)動晶體管均沿所述電源線鏡像對稱。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED顯示面板具體包括:
硅島,形成于所述基板上,用以作為所述第一開關(guān)晶體管、第一驅(qū)動晶體管、第二開關(guān)晶體管以及第二驅(qū)動晶體管的有源層;
柵絕緣層和第一通孔,所述柵絕緣層形成于所述基板和硅島上,所述第一通孔用于導(dǎo)通所述第一開關(guān)晶體管的漏極和第一存儲電容的下極板以及所述第二開關(guān)晶體管的漏極和所述第二存儲電容的下極板;
圖形化的第一金屬層,形成于所述柵絕緣層上,用以作為掃描線、第一存儲電容的下極板、第二存儲電容的下極板、第一開關(guān)晶體管的柵極、第一驅(qū)動晶體管的柵極、第二開關(guān)晶體管的柵極和第二驅(qū)動晶體管的柵極;
第一層間絕緣層和第二通孔,所述第一層間絕緣層形成于所述柵絕緣層以及圖形化的第一金屬層上,所述第二通孔用于導(dǎo)通所述第一數(shù)據(jù)線和第一開關(guān)晶體管的源極;
圖形化的第二金屬層,形成于所述第一層間絕緣層上,用以作為所述第一數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)晶體管的源極和第二存儲電容的上極板;
第二層間絕緣層和第三通孔,所述第二層間絕緣層形成于所述第一層間絕緣層以及圖形化的第二金屬層上,所述第三通孔用于導(dǎo)通第二數(shù)據(jù)線和第二開關(guān)晶體管的源極;
圖形化的第三金屬層,形成于所述第二層間絕緣層上,用以作為第二數(shù)據(jù)線、第二開關(guān)晶體管的源極和第一存儲電容的上極板;
第三層間絕緣層和第四通孔,所述第三層間絕緣層形成于所述第二層間絕緣層以及圖形化的第三金屬層上,所述第四通孔用于導(dǎo)通第一驅(qū)動晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動晶體管的源極和漏極、電源線、第一存儲電容的上極板以及第二存儲電容的上極板;
圖形化的第四金屬層,形成于所述第三層間絕緣層上,用以作為第一驅(qū)動晶體管的源極和漏極、第二驅(qū)動晶體管的源極和漏極、電源線;
鈍化絕緣層和接觸孔,所述鈍化絕緣層形成于所述第三層間絕緣層以及圖形化的第四金屬層上,所述接觸孔用于導(dǎo)通所述第一驅(qū)動晶體管的漏極與第一有機發(fā)光二極管的陽極、所述第二驅(qū)動晶體管的漏極與第二有機發(fā)光二極管的陽極。
4.如權(quán)利要求3所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED顯示面板還包括一開口,所述開口貫穿所述第二層間絕緣層并正對所述第一存儲電容的下極板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





