[發明專利]一種電子產品硅膠復合材料及制備方法

在審

• 申請號: 201610146100.4
• 申請日: 2016-03-15
• 公開（公告）號: CN105601972A
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發明（設計）人: 張再成;楊家昌;謝朝輝;吳長林;鄧軍
• 申請（專利權）人: 惠州賽力瓏新材料有限公司
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;C09D183/07;C09D7/12;C09D5/16
• 代理公司: 江蘇樓沈律師事務所 32254
• 代理人: 王偉

技術領域

本發明涉及一種電子產品專用硅膠復合材料及其制備方法，屬于有機硅合成革技 術領域。

背景技術

隨著電子產品大量進入人們的生活，電子產品專用材料已十分重要，但由于材料 的原因，現在的產品表面易損壞、不易清洗、使用時間短。

發明內容

本發明針對上述問題的不足，提出一種電子產品硅膠復合材料及制備方法，所述 復合材料表面滑爽、防塵、防污、耐磨、耐刮傷，制備方法簡單無污染。

本發明為解決上述技術問題提出的技術方案是：

一種電子產品硅膠復合材料，包括由上到下依次復合連接的表面硅膠層(1)、中間 硅膠層(2)以及基材(3)。

優選的：所述基材(3)包括由PC、PET、ABS及其他一些材料制成的片材、薄膜。

優選的：所述表面硅膠層(1)、中間硅膠層(2)均由加成型液體硅膠硫化而成。

優選的：所述中間硅膠層(2)的厚度在0.01～0.05mm。

優選的：所述表面硅膠層(1)的厚度在0.10～0.30mm。

一種電子產品硅膠復合材料的制備方法，包括以下步驟：

a，將形成表面硅膠層(1)的加成型液體硅膠涂覆于離型紙或離型膜上，厚度控制 在0.01～0.05mm，在50～180℃溫度下硫化1～20分鐘，得到表面硅膠層(1)。

b,將中間硅膠層(2)的加成型液體硅膠涂覆于已硫化的表面硅膠層(1)上，厚度控 制在0.10～0.30mm，在50～180℃溫度下硫化1～20分鐘。

c，將中間硅膠層(2)的加成型液體硅膠涂覆于步驟b已硫化的硅膠層上，貼合基材 (3)，在50～180℃溫度下硫化1～20分鐘，剝離離型紙或離型膜，即可制得電子產品硅膠復 合材料。

本發明的一種電子產品硅膠復合材料及制備方法，相比現有技術，具有以下有益 效果：

本發明制備的硅膠復合材料可以沖壓成各種形狀，作為電子產品專用復合材料， 不僅強度高，而且防污、防塵、耐磨、耐刮傷、外觀優美，制備方法簡單無污染。

附圖說明

圖1是本發明實施例的結構示意圖。

具體實施方式

附圖非限制性地公開了本發明一個優選實施例的結構示意圖，以下將結合附圖詳 細地說明本發明的技術方案。

實施例1

本實施例的一種電子產品硅膠復合材料，如圖1所示，包括由上到下依次復合連接 的表面硅膠層1、中間硅膠層2以及基材3。

所述基材3為0.10mm厚的PET薄膜。當然由PC、ABS及其他一些材料制成的片材、薄 膜制作的基材也可。

所述表面硅膠層(1)、中間硅膠層(2)均由加成型硅膠硫化而成。

所述表面硅膠層1采用的成分和重量配比如下：

所述中間硅膠層2采用的成分和重量配比如下：

乙烯基聚硅氧烷為至少兩個乙烯基直接與Si相連的聚硅氧烷，所述乙烯基位于該 聚硅氧烷的鏈端或側鏈即可。

含氫聚硅氧烷為至少有3個氫原子與Si直接相連的聚硅氧烷，所述氫原子位于聚 硅氧烷的鏈端或側鏈，或鏈端與側鏈同時含有與Si直接相連的氫原子，所述氫原子的質量 在含氫聚硅氧烷中占0.1～1.6％；所述含氫聚硅氧烷為直鏈狀、枝狀、環狀的聚硅氧烷中的 一種或兩種以上的混合物即可。

填料為氣相法白炭黑、沉淀法白炭黑、硅樹脂、硅微粉、碳酸鈣、鋁硅酸鹽、硅澡土、 氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、二氧化鈦中的一種或兩種以上的混合物即可，

鉑系催化劑為氯鉑酸異丙醇溶液、氯鉑酸四氫呋喃溶液、氯鉑酸-二乙烯基四甲基 二硅氧烷配合物、氯鉑酸-1、3、5、7-四乙烯基-1、3、5、7-四甲基-環四硅氧烷中的一種或兩 種以上的混合物；所述鉑金催化劑中Pt原子的含量為100～500000ppm即可，

延遲劑為甲基丁炔醇、乙炔基環己醇、含炔基的馬來酸或其衍生物、含炔基的富馬 來酸或其衍生物、多乙烯基聚硅氧烷、吡啶、不飽和酰胺類、有機膦或亞磷酸酯中的一種或 兩種以上的混合物即可。

所述表面硅膠層1的厚度在0.05mm。

所述中間硅膠層2的厚度在0.10mm。

一種電子產品硅膠復合材料的制備方法，包括以下步驟：