[發(fā)明專利]一種金屬濕式蝕刻終點的監(jiān)控方法及其裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610145863.7 | 申請日: | 2016-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN105575846B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 葉江波 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 蝕刻 終點 監(jiān)控 方法 及其 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種金屬濕式蝕刻裝置,包括:玻璃基板,用于承載待蝕刻的金屬膜;第一光信號收發(fā)器,用于向所述玻璃基板垂直地發(fā)射穿透性光信號并接收反射回來的光信號;以及第二光信號收發(fā)器,用于接收所述第一光信號收發(fā)器發(fā)射的穿過所述玻璃基板的光信號。其中,所述第二光信號收發(fā)器接收到光信號的時間點為位于該光信號照射處的所述金屬膜蝕刻完成的時間點。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術中,使用光信號收發(fā)器對金屬濕式蝕刻終點進行監(jiān)控的過程中,因為金屬膜在蝕刻過程中膜的厚度變小而導致光線的反射角度發(fā)生變化,而導致無法獲取金屬膜的準確的蝕刻終點時間的問題。
【技術領域】
本發(fā)明涉及金屬蝕刻技術領域,特別涉及一種金屬濕式蝕刻終點的監(jiān)控方法及其裝置。
【背景技術】
目前,現(xiàn)有技術在制作液晶面板時,會有金屬濕式蝕刻機對金屬進行蝕刻的金屬濕式蝕刻工序。金屬濕式蝕刻是表面鍍有金屬膜(金屬層)的基板置于盛滿酸液的蝕刻槽內(nèi),對金屬膜未被光阻保護的區(qū)域進行蝕刻,以得到為光阻保護的圖案。在金屬濕式蝕刻機對批量的金屬膜進行蝕刻之前,先從批量的金屬膜中選取一塊作為樣板金屬膜,并獲取樣板金屬膜進行蝕刻終點的偵測。目前業(yè)界現(xiàn)存有兩種方式來進行蝕刻終點的偵測,一是由工作人員實施抽檢,以目視方式結(jié)合經(jīng)驗進行判定而獲取樣板金屬膜的蝕刻終點時間。一是會先通過終點偵測機(EPD,End Point Detector)的感測器獲取樣板金屬膜的蝕刻終點時間,蝕刻終點時間的定義為從承載在基板上的金屬膜接觸用于蝕刻酸液開始,到終點偵測機的感測器測試到金屬膜透光為止。終點偵測機的工作原理為采用光反射/透射原理,當基板有金屬膜時,因金屬膜無法透光,終點偵測機的感測器所發(fā)射出的光信號會被金屬膜反射,終點偵測機據(jù)此判定仍未達金屬膜的蝕刻終點。而當基板所承載的金屬膜被酸液蝕刻完全時,則會透光,感測器射出的光信號會穿透基板而不會被反射,終點偵測機據(jù)此判定已達金屬膜的蝕刻終點。獲取前述蝕刻終點時間之后,再對批量金屬膜進行蝕刻。然而,獲取前述蝕刻終點時間之后,再對批量金屬膜進行蝕刻,但為避免蝕刻速率不均的情形,而殘留金屬膜,因此一般而言在前述蝕刻終點時間之后,會再增加一段過蝕刻(over etching)時間,此為實際總蝕刻時間,其定義為實際總蝕刻時間=蝕刻終點時間+(蝕刻終點時間×過蝕刻比例),以避免殘留金屬膜的情形。例如:測得的樣板金屬膜的蝕刻終點時間若為100sec,而設定的比例為42%,那么,對每一塊金屬膜的實際總蝕刻時間即固定為142sec。
上述現(xiàn)有技術的監(jiān)控方法仍有缺點,金屬膜的膜厚在蝕刻期間會發(fā)生變化,這樣就會導致終點偵測機射向金屬膜的光信號線角度發(fā)生變化,同時金屬膜對所述光信號的反射角度也會發(fā)生變化。在此情況下,終點偵測機就不能接收到反射光信號線,準確得到金屬膜蝕刻終點的時間。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明的目的在于提供一種金屬濕式蝕刻終點的監(jiān)控方法及其裝置,以解決現(xiàn)有技術使用光信號收發(fā)器對金屬濕式蝕刻終點進行監(jiān)控的過程中,因為金屬膜在蝕刻過程中膜的厚度變小而導致光線的反射角度發(fā)生變化,無法得到準確的蝕刻終點的時間點的問題。
本發(fā)明的技術方案如下:
一種金屬濕式蝕刻裝置,所述金屬濕式蝕刻裝置包括:
玻璃基板,用于承載待蝕刻的金屬膜,所述金屬膜覆蓋所述玻璃基板;
第一光信號收發(fā)器,用于向所述玻璃基板垂直地發(fā)射穿透性光信號并接收反射回來的光信號;以及
第二光信號收發(fā)器,用于接收所述第一光信號收發(fā)器發(fā)射的穿過所述玻璃基板的光信號;
其中,所述光信號可穿過所述玻璃基板,所述金屬膜對光信號具有反射作用,所述第一光信號收發(fā)器與所述第二光信號收發(fā)器分別對應地固定在所述玻璃基板的角落邊沿的下方與上方,且它們的連線與所述玻璃基板的平面垂直,并穿過所述玻璃基板的邊沿,所述第二光信號收發(fā)器接收到光信號的時間點為位于該光信號照射處的所述金屬膜蝕刻完成的時間點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





