[發明專利]一種金屬濕式蝕刻終點的監控方法及其裝置有效
| 申請號: | 201610145863.7 | 申請日: | 2016-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN105575846B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發明(設計)人: | 葉江波 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 蝕刻 終點 監控 方法 及其 裝置 | ||
1.一種金屬濕式蝕刻終點的監控方法,其特征在于,所述監控方法包括以下步驟:
在金屬膜開始進行蝕刻時,金屬濕式蝕刻裝置通過控制在玻璃基板角落邊沿不同位置的第一光信號收發器同時向所述玻璃基板發射穿透性光信號,并記錄發射的時間點以作為蝕刻始點,且保持發射狀態;
在所述金屬膜進行蝕刻的過程中,控制第二光信號收發器實時監控是否有光信號從所述玻璃基板穿透出來;
若有光信號從所述玻璃基板穿透出來,則獲取所有所述第二光信號收發器接收該光信號的各個時間點,以最后獲取到的所述時間點作為所述金屬膜的蝕刻終點;
根據所述蝕刻始點與所述蝕刻終點計算出所述金屬膜所用的總蝕刻時間,所述總蝕刻時間為最后獲取到該光信號的所述時間點與所述蝕刻始點的時間差長度;
對所述總蝕刻時間進行檢測,判斷是否大于預設蝕刻時間閾值。
2.根據權利要求1所述的監控方法,其特征在于,計算出所述金屬膜所用的總蝕刻時間,之后還包括:
判斷所述總蝕刻時間是否大于預設蝕刻時間閾值;
若是則判定所述金屬濕式蝕刻裝置及所述金屬膜的厚度異常,并停止對后續的所述金屬膜進行蝕刻;
若不是則將所述總蝕刻時間作為所述金屬膜的蝕刻終點時間并進行保存,并繼續對后續的所述金屬膜進行蝕刻。
3.根據權利要求2所述的監控方法,其特征在于,停止對所述金屬膜進行蝕刻的同時,還包括:
對所述金屬濕式蝕刻裝置及所述金屬膜的厚度進行檢測,以找出所述金屬膜的蝕刻終點時間大于預設蝕刻時間閾值的原因。
4.一種采用權利要求1-3任一項所述的監控方法的金屬濕式蝕刻裝置,其特征在于,所述金屬濕式蝕刻裝置包括:
玻璃基板,用于承載待蝕刻的金屬膜,所述金屬膜覆蓋所述玻璃基板;
第一光信號收發器,用于向所述玻璃基板垂直地發射穿透性光信號并接收反射回來的光信號;以及
第二光信號收發器,用于接收所述第一光信號收發器發射的穿過所述玻璃基板的光信號;
其中,所述光信號可穿過所述玻璃基板,所述金屬膜對光信號具有反射作用,所述第一光信號收發器與所述第二光信號收發器分別對應地固定在所述玻璃基板的角落邊沿的下方與上方,且它們的連線與所述玻璃基板的平面垂直,并穿過所述玻璃基板的邊沿,所述第二光信號收發器接收到光信號的時間點為位于該光信號照射處的所述金屬膜蝕刻完成的時間點。
5.根據權利要求4所述的金屬濕式蝕刻裝置,其特征在于,一個所述第一光信號收發器與一個所述第二光信號收發器組成一個光信號收發組,所述光信號收發組的個數為4個,且各個所述光信號收發組的所述第一光信號收發器與所述第二光信號收發器一一對應。
6.根據權利要求5所述的金屬濕式蝕刻裝置,其特征在于,所述金屬濕式蝕刻裝置還包括:
多個噴嘴,用于向所述金屬膜噴灑蝕刻液體,所述噴嘴噴灑的所述蝕刻液體的噴灑面積覆蓋并大于整個所述玻璃基板;
多個滾輪,用于將承載在其上的所述玻璃基板向左右方向來回運動;
其中,所述噴嘴設在所述玻璃基板的上方,且位于所述第二光信號收發器的下方,多個所述噴嘴與多個所述滾輪上下相對一一對應布置,所述玻璃基板的運動方向為所述第一光信號收發器與對應的所述第二光信號收發器的連線所穿過的所述玻璃基板的所述角落邊沿的方向。
7.根據權利要求6所述的金屬濕式蝕刻裝置,其特征在于,每個所述第二光信號收發器位于相鄰兩個所述噴嘴之間的范圍的上方。
8.根據權利要求7所述的金屬濕式蝕刻裝置,其特征在于,在蝕刻開始后,所述滾輪帶動所述玻璃基板進行左右方向的來回水平運動,多個所述噴嘴進行前后方向的來回水平運動,所述玻璃基板的運動方向與所述噴嘴的運動方向相垂直。
9.根據權利要求8所述的金屬濕式蝕刻裝置,其特征在于,在所述玻璃基板靜止或進行左右方向的來回水平運動時,所述第一光信號收發器發射的光信號射在所述玻璃基板的邊沿范圍內,且所述噴嘴噴射的所述蝕刻液體覆蓋所述玻璃基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610145863.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





