[發明專利]氯硅烷和多晶硅體表金屬痕量雜質元素的前處理裝置

有效

• 申請號: 201610145266.4
• 申請日: 2016-03-15
• 公開（公告）號: CN105784459B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 張福海;王生紅;蔡延國;季靜佳;陳兆峰;李曉琴;劉忠昌;王體虎
• 申請（專利權）人: 亞洲硅業（青海）有限公司
• 主分類號: G01N1/44
• 分類號: G01N1/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.氯硅烷和多晶硅體表金屬痕量雜質元素的前處理裝置，包括小型獨立的密閉裝置主體、并聯的多個流量計和廢氣吸收塔附屬裝置，其特征在于：從氮氣總管線引入的氮氣通過流量計進口(5)與流量計(2)相連，流量計(2)固定在面板(1)的側壁上，流量計進口(5)一端管線依次設有氮氣過濾器(3)和氮氣分配器(4)；與流量計出口(6)相連的氮氣進口軟管(7)穿過伸縮臂(10)內壁與小型獨立的密閉裝置主體氮氣進口接口(12)連接；所述小型獨立的密閉裝置主體包括內層接口(13)和外層接口(14)，內外層接口內側依次設有與樣品瓶(20)相匹配的螺紋(21)，外層接口螺紋外側壁設有卡扣(22)，其與保溫外罩(15)卡接；小型獨立的密閉裝置主體設有保護帽(23)；所述伸縮臂(10)的一端通過伸縮臂底座(9)固定在面板(1)上，另一端通過伸縮臂快接(11)與小型獨立的密閉裝置主體相連；與混合氣體出口接口(16)相連的廢氣出口軟管(8)穿過伸縮臂(10)內壁與廢氣吸收塔(19)相連，兩者中間依次設有截流閥(17)和混合氣體收集器(18)。

2.根據權利要求1所述的氯硅烷和多晶硅體表金屬痕量雜質元素的前處理裝置，其特征在于：多個小型獨立的密閉裝置主體與相對應的伸縮臂(10)連接，同時批量處理樣品。

3.根據權利要求1所述的氯硅烷和多晶硅體表金屬痕量雜質元素的前處理裝置，其特征在于：所述伸縮臂(10)為中空，且伸縮臂(10)為聚偏氟乙烯(PVDF)材質；所述小型獨立的密閉裝置主體、氮氣進口接口(12)、混合氣體出口接口(16)均為聚四氟乙烯(PTFE)材質；所述樣品瓶(20)和保溫外罩(15)材質為聚氟烷氧基樹脂(PFA)。

4.根據權利要求1所述的氯硅烷和多晶硅體表金屬痕量雜質元素的前處理裝置，其特征在于：所述獨立的密閉裝置主體材質均為耐腐蝕，材料本身雜質含量不影響目標物雜質含量的檢測，用于易爆、易揮發、易腐蝕，對潔凈要求較高的流體物質的檢測。