[發明專利]一種碲化鎘晶體

在審

• 申請號: 201610144426.3
• 申請日: 2016-03-14
• 公開（公告）號: CN107188135A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 陳道理
• 申請（專利權）人: 盱眙新遠光學科技有限公司
• 主分類號: C01B19/04
• 分類號: C01B19/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種碲化鎘晶體。

背景技術

碲化鎘廣泛地應用于光譜分析、太陽能電池、紅外調制器、紅外窗場致發光器件、光電池、紅外探測、X射線探測、核放射性探測器、接近可見光區的發光器件中。

但是目前國內還沒有比較成熟配套的生產工藝系統，大部分碲化鎘晶體仍然依賴進口，而采用傳統將熱棒插入碲和鎘混合粉末中加熱的方法制備碲化鎘，其熱棒加熱不夠均勻，反應不夠充分；而采用坩堝蒸發碲和鎘反應生成碲化鎘薄膜的方法，難于準確控制碲和鎘的蒸發量，并且在大量制備碲化鎘薄膜過程中，工作人員可能接觸鎘粉的機會較多，對工作人員和環境容易造成污染和損害。

發明內容

針對上述技術問題，本發明公開一種碲化鎘晶體，包括以下步驟：

將高純碲及高純鎘按照4∶6比例混合裝入高溫爐中；

設置升溫曲線，使高溫爐在氮氣保護條件下按照升溫曲線進行升溫過程，以使所述高純碲及高純鎘發生化學反應氣相沉積，形成晶體；所述升溫曲線的最高溫度不超過1200℃；且在最高溫度條件下的保溫時間不超過5小時；

將高溫爐冷卻至室溫，打開后取出碲化鎘晶體；將合格的碲化鎘晶體切割成不同直徑，采用真空鋁塑紙按片分裝，并用真空封裝機封口。

本發明的有益效果是所述碲化鎘晶體生產過程中沒有添加任何其它的輔助材料或溶劑，整個過程全部在潔凈間中進行，升溫控制安全可靠，反應過程中沒有蒸氣外泄，不會對環境和工作人員的健康造成損害，更不會導致碲化鎘分解，反應過程充分，制成的碲化鎘晶體純度高，質量好，穩定性高。

具體實施方式

下面對本發明做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。

本發明公開一種碲化鎘晶體，包括以下步驟：將高純碲及高純鎘按照4∶6比例混合裝入高溫爐中；設置升溫曲線，使高溫爐在氮氣保護條件下按照升溫曲線進行升溫過程，以使所述高純碲及高純鎘發生化學反應氣相沉積，形成晶體；所述升溫曲線的最高溫度不超過1200℃；且在最高溫度條件下的保溫時間不超過5小時；所述升溫過程為1小時內從室溫升至300℃，保溫30min；之后，1小時內升至600℃，保溫2h；然后，1小時內升至700℃，保溫6h；最后3小時內升至1000～1200℃，最高溫度不超過1200℃，并保溫2～5h，且保溫時間不超過5小時；反應完成后，將高溫爐冷卻至室溫，打開后取出碲化鎘晶體；將合格的碲化鎘晶體切割成不同直徑，采用真空鋁塑紙按片分裝，并用真空封裝機封口。所述碲化鎘晶體過程中沒有添加任何其它的輔助材料或溶劑，整個過程全部在潔凈間中進行，升溫控制安全可靠，反應過程中沒有蒸氣外泄，不會對環境和工作人員的健康造成損害，更不會導致碲化鎘分解，反應過程充分，制成的碲化鎘晶體純度高，質量好，穩定性高。潔凈間的內部和外部環境空氣均通過高效過濾隔離，同時生產人員必須嚴格佩戴健康防護用具上崗，一方面是為了保護產品本身的品質，另一方面更是加強了對生產人員與外部環境的保護。對于外形、硬度、顏色、透過率達到設定指標的碲化鎘晶體合格品，進行下一步的切割分裝，對于不合格的碲化鎘晶體或者邊角料，提純分離或賣給回收 公司，更加節約環保。

盡管本發明的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本發明的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發明并不限于特定的細節和這里示出與描述的文字。