[發明專利]一種碲化鎘晶體在審
| 申請號： | 201610144426.3 | 申請日： | 2016-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN107188135A | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 陳道理 | 申請（專利權）人： | 盱眙新遠光學科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 211700 江蘇省淮*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碲化鎘 晶體 | ||
【權利要求書】：
1.一種碲化鎘晶體的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
將高純碲及高純鎘按照4∶6比例混合裝入高溫爐中；
設置升溫曲線，使高溫爐在氮氣保護條件下按照升溫曲線進行升溫過程，以使所述高純碲及高純鎘發生化學反應氣相沉積，形成晶體；所述升溫曲線的最高溫度不超過1200℃；且在最高溫度條件下的保溫時間不超過5小時；
將高溫爐冷卻至室溫，打開后取出碲化鎘晶體；將合格的碲化鎘晶體切割成不同直徑，采用真空鋁塑紙按片分裝，并用真空封裝機封口。
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