[發明專利]單一負信號觸發的雙向晶閘管芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 201610142561.4
• 申請日: 2016-03-14
• 公開（公告）號: CN105633133B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 周健;朱法揚;王成森;俞榮榮
• 申請（專利權）人: 捷捷半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L29/747;H01L21/332;H01L21/28
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

1.單一負信號觸發的雙向晶閘管芯片，包括N-型長基區，所述N-型長基區的正面設有正面P型短基區，背面設有背面P型短基區，所述正面P型短基區的四周、N-型長基區的上部設有環形隔離鈍化槽，所述隔離鈍化槽的內表面設有玻璃鈍化膜，所述N-型長基區的四周設有與背面P型短基區連通的P型對通隔離環，其特征在于：所述P型對通隔離環的正面設有正面氧化膜和門極電極，所述門極電極與P型對通隔離環之間設有N+型門極區，所述正面P型短基區的正面設有正面氧化膜和主端子T2，所述主端子T2與正面P型短基區之間設有帶短路孔的正面N+型發射區，所述背面P型短基區的背面沿邊緣設有背面氧化膜，所述背面氧化膜的內側設有主端子T1，所述主端子T1與背面P型短基區之間設有帶短路孔的背面N+型發射區。

2.根據權利要求1所述的單一負信號觸發的雙向晶閘管芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：生長氧化層；光刻對通隔離環；離子注入鋁；對通隔離環擴散；雙面P型短基區鎵擴散；光刻雙面N+型發射區和N+型門極區；雙面N+型發射區和N+型門極區磷擴散；光刻隔離鈍化槽及腐蝕；玻璃鈍化；光刻引線；雙面電極化；真空合金，芯片測試，分選，劃片分離。

3.根據權利要求2所述的單一負信號觸發的雙向晶閘管芯片的制造方法，其特征在于：所述N+型門極區磷擴散的結深為10~25μm。