[發明專利]倒裝白光芯片的制備工藝在審
| 申請號: | 201610141543.4 | 申請日: | 2016-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN105655261A | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發明(設計)人: | 董翊 | 申請(專利權)人: | 導裝光電科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L33/52 |
| 代理公司: | 深圳市明日今典知識產權代理事務所(普通合伙) 44343 | 代理人: | 王杰輝 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 白光 芯片 制備 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及倒裝芯片的封裝領域,特別涉及一種倒裝白光芯片的制備工 藝。
背景技術
倒裝芯片的結構是芯片的電極和發光區域在透明藍寶石襯底的底部,與 正裝芯片(平行結構)相反,以便熱量可以直接從底部導走,不必通過絕熱 的藍寶石襯底,而且電流分布更加均勻,使得倒裝芯片可以在更大的電流密 度下使用,更免去了焊線的成本和斷線的隱患。
倒裝白光芯片是指涂敷了熒光粉的倒裝芯片,也稱作(CSP,ChipScale Package),即芯片級封裝。因為藍寶石襯底是透明晶體,倒裝芯片是五面出光, 熒光粉必須涂敷在上表面和四個側面,同時底部的電極區域不得被硅膠和熒 光粉污染。
目前,倒裝白光芯片的制備方法主要包括:
1、采用硅膠熒光粉壓制而成,五面出光,光效高,但是頂部和四周的色 溫一致性控制較差,德豪潤達的CSP以這種為主。
2、采用周圍二氧化鈦保護再覆熒光粉膜,只有頂部一個發光面,光的一 致性和指向性很好,然而損失了四周的光輸出,光效會偏低。目前,三星主 要采用此技術為主。
3、采用熒光粉膜全覆蓋,再加透明硅膠固定成型,也是五面出光,光效 高,光品質稍差,此款主要是飛利浦采用。
無論上述哪種制備方法,共同的特點為:
1).必須在真空下進行,因為倒裝芯片底部兩個電極之間是一道凹槽,必 須將空氣抽出,否則硅膠加熱時空氣膨脹會產生大量氣泡;
2).熒光粉必須事先制備成半成品薄膜,而薄膜必須是在高溫時先軟化再 固化,這樣才能覆蓋在芯片的表面和側面;
3).薄膜必須和倒裝芯片一起預先放入真空室,并在真空抽好后才能覆蓋 在芯片表面;
4).倒裝芯片需在真空條件下熱壓固化成型。
限于以上這些條件,倒裝白光芯片的制備對設備要求很高,設備復雜昂 貴,同時抽真空、加熱、降溫、放氣等都需要較長的時間,而真空室的容積 不能一次容納很多芯片,這就是制約倒裝白光芯片成本居高不下難以推廣的 主要原因。
發明內容
本發明的主要目的為提供一種倒裝白光芯片的制備工藝,簡單高效,無 需昂貴復雜的設備,可連續大規模生產,降低生產成本。
本發明提出一種倒裝白光芯片的制備工藝,包括以下步驟:
翻晶,將UV膠片放置于支撐平臺上,并將倒裝芯片的底部緊密粘在所 述UV膠片上;
真空脫泡,將混合好的熒光粉以及硅膠涂敷在倒裝芯片的四側以及頂部, 形成熒光粉以及硅膠層;并將涂敷好的倒裝芯片放入真空室內進行真空脫泡;
涂布成型,真空脫泡完成后,將所述倒裝芯片從真空室內取出,并根據 設定的熒光粉以及硅膠層高度,均勻刮涂所述倒裝芯片頂部多余的熒光粉以 及硅膠;
高溫固化,對涂布成型后的倒裝芯片進行加熱,使熒光粉以及硅膠層固 化封裝所述倒裝芯片的頂部以及四側;
切割,高溫固化完成后,沿各個倒裝芯片之間的間隙切割;
UV光照脫膜,去除所述支撐平臺,使用UV光照射所述UV膠片使其失 去粘性,去除失去粘性后的UV膠片,得到倒裝白光芯片成品。
進一步地,所述UV光照脫膜的步驟之后還包括:
對倒裝白光芯片成品進行質量測試以及分選包裝。
進一步地,所述支撐平臺為玻璃板或耐高溫的表面平整光潔不變形的金 屬板。
進一步地,所述支撐平臺為無色透明玻璃板。
進一步地,所述涂布成型的步驟包括:
真空脫泡完成后,將所述倒裝芯片從真空室內取出,并根據設定的熒光 粉以及硅膠層高度,通過涂布機均勻刮涂所述倒裝芯片頂部多余的熒光粉以 及硅膠。
進一步地,所述高溫固化的步驟包括:
將所述涂布成型后的倒裝芯片放入烘箱中加熱,使熒光粉以及硅膠層固 化封裝所述倒裝芯片的頂部以及四側。
進一步地,所述倒裝芯片的底部為電極區域。
本發明中提供的倒裝白光芯片的制備工藝,具有以下有益效果:
本發明中提供的倒裝白光芯片的制備工藝,簡單高效,無需昂貴復雜的 設備,使用常規設備便可連續大規模生產,降低生產成本;無需預先制作半 成品的熒光粉薄膜,簡化工序,提高工作效率。
附圖說明
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





