[發明專利]FFS模式的陣列基板及制作方法

有效

• 申請號: 201610141337.3
• 申請日: 2016-03-11
• 公開（公告）號: CN105629598B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 葛世民
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成一基層，該基層設置有柵極以及溝道半導體層；

在基層上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成將該溝道半導體層露出的第一過孔以及第二過孔；

在第二絕緣層上沉積像素電極層，該像素電極層設置有多個像素電極區域，以及位于相鄰兩個像素電極區域之間的第一間隔區域；

在像素電極層上沉積第一金屬層，該第一金屬層設置有源極區域、漏極區域，以及位于源極區域和漏極區域之間的第二間隔區域；

在第一金屬層上涂布第一光阻層，將第一光阻層上與第一間隔區域和第二間隔區域正對區域的光阻去除；

對第一金屬層和像素電極層進行刻蝕，以在第一金屬層的源極區域和漏極區域分別形成源極和漏極，在像素電極層的像素電極區域形成像素電極；

去除第一光阻層，并除去位于像素電極上的第一金屬層；

在源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上沉積第三絕緣層；

其中所述形成一基層的步驟包括：

在玻璃基板上依次沉積公共電極層以及第二金屬層，第二金屬層設有柵極區域，公共電極層設有公共電極區域、TFT區域以及位于公共電極區域與TFT區域之間的第四間隔區域；

在第二金屬層上涂布第三光阻層，將第三光阻層上與第四間隔區域正對區域的光阻除去；

對第二金屬層以及公共電極層進行刻蝕，以在該公共電極層的公共電極區域形成公共電極，在第二金屬層的柵極區域形成柵極；

將公共電極上的第三光阻層以及第二金屬層依次除去，將柵極上的第三光阻層除去；

在公共電極、柵極以及玻璃基板上沉積第一絕緣層，在該第一絕緣層上形成所述溝道半導體層；

其中所述第二絕緣層沉積于所述溝道半導體層以及第一絕緣層之上。

2.根據權利要求1所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述溝道半導體層設置有兩個分別與所述第一過孔以及第二過孔對應的摻雜區域，所述去除該溝道半導體層上的第二光阻層的步驟包括：

將所述溝道半導體層的兩個摻雜區域上的第二光阻層去除，并對該兩個摻雜區域進行摻雜，以將該溝道半導體層位于該兩個摻雜區域的半導體轉換為導體，然后去除所述溝道半導體層上剩余的第二光阻層。

3.根據權利要求1所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層以及所述第三絕緣層均包括氮化硅和/或二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述溝道半導體層包括銦鎵鋅氧化物。

5.一種FFS模式的陣列基板，其特征在于，包括：

基層，該基層設置有柵極以及溝道半導體層；

第二絕緣層，其沉積于所述基層上，該第二絕緣層上形成有將該溝道半導體層露出的第一過孔以及第二過孔；

像素電極層，其沉積于所述第二絕緣層上，所述像素電極層上設置有像素電極；

源極以及漏極，該源極以及漏極設置于所述像素電極層之上；

第三絕緣層，其設置于源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上；

其中所述基層還包括：

玻璃基板；

公共電極層，其設置于玻璃基板上，所述柵極設置于所述公共電極層之上；

第一絕緣層，其設置于公共電極層、柵極以及玻璃基板上；

所述溝道半導體層設置于所述第一絕緣層上并位于所述柵極上方，所述第二絕緣層沉積于所述溝道半導體層以及第一絕緣層之上。

6.根據權利要求5所述的FFS模式的陣列基板，其特征在于，其特征在于，所述溝道半導體層包括銦鎵鋅氧化物。