[發明專利]FFS模式的陣列基板及制作方法

有效

• 申請號: 201610141337.3
• 申請日: 2016-03-11
• 公開（公告）號: CN105629598B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 葛世民
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種FFS模式的陣列基板及制作方法，該FFS模式的陣列基板包括基層，該基層設置有柵極以及溝道半導體層；第二絕緣層，其沉積于所述基層上，該第二絕緣層上形成有將該溝道半導體層露出的第一過孔以及第二過孔；像素電極層，其沉積于所述第二絕緣層上，所述像素電極層上設置有像素電極；源極以及漏極，該源極以及漏極設置于所述像素電極層之上；第三絕緣層，其設置于源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上。本發明具有縮短工藝流程、減少光罩次數的有益效果。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別是涉及一種曲面液晶顯示面板及曲面液晶顯示裝置。

背景技術

有源矩陣驅動的LCD顯示技術利用了液晶的雙極性偏振特點，通過施加電場控制液晶分子的排列方向，實現對背光源光路行進方向的開關控制。根據對液晶分子施加電場方向的不同，可以將LCD顯示模式分為TN系列模式,VA系列模式及IPS系列模式。VA系列模式指對液晶分子施加縱向電場，而IPS系列模式指對液晶分子施加橫向電場。而在IPS系列模式中，對于施加橫向電場的不同，又可分為IPS模式和FFS模式等。其中FFS顯示模式的每一個像素單元含有上下兩層電極，即像素電極和公共電極，且下層的公共電極采用開口區整面平鋪的方式。FFS顯示模式具有高透過率，廣視角以及較低的色偏等優點，是一種廣泛應用的LCD顯示技術。

為了提高氧化物TFT的穩定性，刻蝕阻擋層(ESL)結構的TFT結構被廣泛采用，該結構可以有效降低外界環境因素與源漏電極的刻蝕損傷對背溝道的影響。然而，ESL結構的傳統FFS顯示模式陣列基板制造方法需要更多的光罩次數，增加了工藝的復雜性以及生產成本。

發明內容

本發明的目的在于提供一種FFS模式的陣列基板及其制作方法；以解決現有技術中ESL結構的傳統FFS顯示模式陣列基板制造方法需要更多的光罩次數，增加了工藝的復雜性以及生產成本的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明實施例提供一種FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成一基層，該基層設置有柵極以及溝道半導體層；

在基層上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成將該溝道半導體層露出的第一過孔以及第二過孔；

在第二絕緣層上沉積像素電極層，該像素電極層設置有多個像素電極區域，以及位于相鄰兩個像素電極區域之間的第一間隔區域；

在像素電極層上沉積第一金屬層，該第一金屬層設置有源極區域、漏極區域，以及位于源極區域和漏極區域之間的第二間隔區域；

在第一金屬層上涂布第一光阻層，將第一光阻層上與第一間隔區域和第二間隔區域正對區域的光阻去除；

對第一金屬層和像素電極層進行刻蝕，以在第一金屬層的源極區域和漏極區域分別形成源極和漏極，在像素電極層的像素電極區域形成像素電極；

去除第一光阻層，并除去位于像素電極上的第一金屬層；

在源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上沉積第三絕緣層。

在本發明所述的FFS模式的陣列基板的制作方法中，所述形成一基層的步驟包括：

在玻璃基板上形成柵極；

在玻璃基板以及柵極上依次沉積第一絕緣層以及半導體層，該半導體層設置有溝道區域、公共電極區域以及位于公共電極區域與溝道區域之間的第三間隔區域；

在該半導體層上涂布第二光阻層，將該第二光阻層上與所述第三間隔區域正對區域的光阻去除；

對所述半導體層進行刻蝕，以在半導體層的溝道區域形成所述溝道半導體層，在該半導體層的公共電極區域形成待摻雜半導體層；