[發明專利]非易失性半導體存儲裝置及存儲器系統有效
| 申請號: | 201610140470.7 | 申請日: | 2016-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN106653082B | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 平嶋康伯;小柳勝 | 申請(專利權)人: | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性 半導體 存儲 裝置 存儲器 系統 | ||
1.一種存儲器系統,其特征在于包括:
第1非易失性半導體存儲裝置;及
控制器;且
所述控制器能夠將第1信號、及控制于讀出動作中讀出數據的時序的第2信號發送至所述第1非易失性半導體存儲裝置,
所述第1非易失性半導體存儲裝置包含:
第1端子,連接于所述控制器,并接收所述第2信號;
第1電路,包含連接于所述第1端子的第1及第2電阻元件、將該第1電阻元件與電源電壓線電連接的第1開關元件、及將該第2電阻元件與接地電壓線電連接的第2開關元件;及
第2電路,使用所述第1信號控制所述第1電路,且所述第1信號是控制所述第1電路的接通/斷開狀態的信號;
所述第2電路在當切換所述第1信號的邏輯電平時所述第2信號處于第1邏輯電平的情況下,將所述第1及第2開關元件斷開,且在所述第2信號處于第2邏輯電平的情況下,將所述第1及第2開關元件接通。
2.根據權利要求1所述的存儲器系統,其特征在于還包含第2非易失性半導體存儲裝置,且
所述第2非易失性半導體存儲裝置包含第2端子,
該第2端子共通地連接于所述控制器及所述第1非易失性半導體存儲裝置,且接收所述第2信號,
所述控制器在選擇所述第2非易失性半導體存儲裝置作為寫入或讀出動作的對象的情況下,對所述第1非易失性半導體存儲裝置中的所述第1及第2開關元件進行控制。
3.根據權利要求1所述的存儲器系統,其特征在于:
所述第1信號為非同步信號。
4.根據權利要求1所述的存儲器系統,其特征在于:
所述控制器在25nsec以上的第1期間,維持所述第2信號的邏輯電平,在從所述第1期間開始后經過5nsec以上至所述第1期間結束為止的期間,將所述第1信號從所述第1邏輯電平切換為所述第2邏輯電平。
5.一種存儲器系統,其特征在于包括:
第1非易失性半導體存儲裝置;及
控制器;且
所述第1非易失性半導體存儲裝置包含:
第1端子,連接于所述控制器;
第1電路,包含連接于所述第1端子的第1及第2電阻元件、將該第1電阻元件與電源電壓線電連接的第1開關元件、及將該第2電阻元件與接地電壓線電連接的第2開關元件;及
第2電路,根據從所述控制器輸入的第1信號而控制所述第1電路;
所述第1信號在所述第1電路的參數設定前作為寫入防止信號發揮功能,在所述參數設定后作為所述第1電路的控制信號發揮功能。
6.一種非易失性半導體存儲裝置,其特征在于包括:
第1端子,連接于外部設備;
第1電路,包含連接于所述第1端子的第1及第2電阻元件、將該第1電阻元件與電源電壓線電連接的第1開關元件、及將該第2電阻元件與接地電壓線電連接的第2開關元件;及
第2電路,使用第1信號控制所述第1電路,所述第1信號是控制所述第1電路的接通/斷開狀態的信號;
所述第1端子接收對讀出動作時讀出數據的時序進行控制的第2信號,
所述第2電路在當切換所述第1信號的邏輯電平時所述第2信號處于第1邏輯電平的情況下,將連接于所述第1端子的所述第1及第2開關元件斷開,且在所述第2信號處于第2邏輯電平的情況下,將所述第1及第2開關元件接通。
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