[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器元件及操作半導(dǎo)體存儲器元件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610139720.5 | 申請日： | 2016-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN107180649B | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭仲皓 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/4091 | 分類號： | G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中國臺灣*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲器 元件 操作 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲器元件，其特征在于包括：
第一電荷儲存元件，用以維持第一數(shù)據(jù)電位；
第一讀取晶體管，具有第一端耦接于該第一電荷儲存元件，第二端耦接于第一讀取位線，及控制端耦接于讀取字線；
第一寫入晶體管，具有第一端耦接于該第一讀取晶體管的該第一端，第二端耦接于第一寫入位線，及控制端耦接于寫入字線；及
非易失性存儲器元件，耦接于該第一讀取晶體管的該第二端、固定存儲操作控制線、固定存儲字線及固定存儲位線，用以根據(jù)該固定存儲操作控制線、該固定存儲字線及該固定存儲位線傳來的信號寫入或讀取固定位數(shù)據(jù)，該非易失性存儲器元件包括：
操作控制晶體管，具有第一端耦接于該第一讀取晶體管的該第二端，第二端，控制端耦接于該固定存儲字線，及基極；及
固定存儲晶體管，具有第一端耦接于該操作控制晶體管的該第二端，第二端耦接于該固定存儲位線，控制端耦接于該固定存儲操作控制線，及基極耦接于該操作控制晶體管的該基極；
其中當(dāng)對該固定存儲單元進(jìn)行寫入操作時：
該固定存儲操作控制線是在第一電位、該固定存儲位線是在第二電位、該固定存儲字線是在該第二電位、該讀取位線是在第三電位及該操作控制晶體管的該基極是在該第二電位；
該讀取字線截止該第一讀取晶體管；及
該寫入字線截止該第一寫入晶體管；
其中該第一電位大于該第三電位，該第三電位大于或等于該第二電位。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器元件，其特征在于該第一電荷儲存元件是電容元件，包括平板電容、晶體管電容、溝槽式電容(trench capacitor)或堆迭式電容(stackcapacitor)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器元件，其特征在于還包括：
第二電荷儲存單元，用以維持第二數(shù)據(jù)電位；
第二讀取晶體管，具有第一端耦接于該第二電荷儲存單元，第二端耦接于第二讀取位線，及控制端耦接于該讀取字線；及
第二寫入晶體管，具有第一端耦接于該第二讀取晶體管的該第一端，第二端耦接于第二寫入位線，及控制端耦接于該寫入字線。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器元件，其特征在于還包括：
第二讀取晶體管，具有第一端耦接于該第一電荷儲存元件，第二端耦接于第二讀取位線，及控制端耦接于該讀取字線；及
第二寫入晶體管，具有第一端耦接于該第二讀取晶體管的該第一端，第二端耦接于第二寫入位線，及控制端耦接于該寫入字線。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器元件，其特征在于該第一電荷儲存元件包括：
第一反相器，具有輸入端耦接于該第一讀取晶體管的該第一端，及輸出端耦接于該第二讀取晶體管的該第一端；及
第二反相器，具有輸入端耦接于該第二讀取晶體管的該第一端，及輸出端耦接于該第一讀取晶體管的該第一端。
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