[發明專利]一種獲取DDRODT參數的方法和裝置

在審

• 申請號: 201610135664.8
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN107180653A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 李東陽;陳之光
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司11262
• 代理人: 韓輝峰,李丹

1.一種獲取雙倍動態存儲器DDR終結電阻ODT參數的方法，其特征在于，包括：

通過擴展寄存器EMR將DDR ODT的第m個取值和列地址脈沖選通潛伏期CL的第n個取值設置到DDR中；其中，m為大于或等于1的整數，n為大于或等于1的整數；

將預設的數據寫入DDR中，并從DDR中讀取數據；

判斷出寫入的數據和讀取的數據相同，保存DDR ODT的第m個取值、CL的第n個取值和表示成功的信息之間的對應關系；

繼續執行通過EMR將DDR ODT的第m個取值和CL的第(n+1)個取值設置到DDR中的步驟，直到所有CL的取值完成；

繼續執行通過EMR將DDR ODT的第(m+1)個取值和CL的第1個取值設置到DDR中的步驟，直到所有DDR ODT和所有CL的取值完成；

根據對應關系獲取DDR ODT和CL的最優取值。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當判斷出所述寫入的數據和所述讀取的數據不相同時，在所述繼續執行通過EMR將DDR ODT的第m個取值和CL的第(n+1)個取值設置到DDR中的步驟之前還包括：

保存所述DDR ODT的第m個取值、CL的第n個取值和表示失敗的信息之間的對應關系。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對應關系為二維表；

所述二維表的第m行第n列對應的元素的取值為DDR ODT的第m個取值、CL的第n個取值對應的表示成功的信息或表示失敗的信息，所述第m行第n列對應的元素的行屬性為所述DDR ODT，取值為所述DDR ODT的第m個取值，列屬性為所述CL，取值為所述CL的第n個取值；

所述根據對應關系獲取DDR ODT和CL的最優取值包括：

在所述二維表中搜索滿足預設條件的與預設窗口大小相同的窗口的中心元素，其中，預設條件為所述與預設窗口大小相同的窗口內的所有元素的取值均為表示成功的信息；

判斷出搜索到的中心元素的個數為1，確定出所述中心元素對應的DDR ODT的取值為所述DDR ODT的最優取值，所述中心元素對應的CL的取值為所述CL的最優取值。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，當判斷出搜索到的中心元素的個數大于1時，該方法還包括：

確定出所述中心元素中的一個對應的DDR ODT的取值為所述DDR ODT的最優取值，所述中心元素中的一個對應的CL的取值為所述CL的最優取值。

5.一種獲取雙倍動態存儲器DDR終結電阻ODT參數的裝置，其特征在于，包括：

設置模塊，用于通過擴展寄存器EMR將DDR ODT的第m個取值和列地址脈沖選通潛伏期CL的第n個取值設置到DDR中；其中，m為大于或等于1的整數，n為大于或等于1的整數；接收到通知消息，繼續執行通過EMR將DDR ODT的第m個取值和CL的第(n+1)個取值設置到DDR中的步驟，直到所有CL的取值完成；繼續執行通過EMR將DDR ODT的第(m+1)個取值和CL的第1個取值設置到DDR中的步驟，直到所有DDR ODT和所有CL的取值完成；

處理模塊，用于將預設的數據寫入DDR中，并從DDR中讀取數據；判斷出寫入的數據和讀取的數據相同，保存DDR ODT的第m個取值、CL的第n個取值和表示成功的信息之間的對應關系；向設置模塊發送通知消息；

獲取模塊，用于根據對應關系獲取DDR ODT和CL的最優取值。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊還用于：

判斷出所述寫入的數據和所述讀取的數據不相同，保存所述DDR ODT的第m個取值、CL的第n個取值和表示失敗的信息之間的對應關系，向所 述設置模塊發送所述通知消息。