[發(fā)明專(zhuān)利]硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610135250.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107195720A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張金隆;楊茹媛;蘇盛隆;陳坤賢 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 鹽城金合盛光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/072 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/072;H01L31/054;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11228 | 代理人: | 馬廷昭 |
| 地址: | 224799 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅基異質(zhì)接面 太陽(yáng)能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)于一種硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池,特別有關(guān)于一種具有有機(jī)無(wú)機(jī)混合式透明導(dǎo)電膜的硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)
目前由于國(guó)際能源短缺,而世界各國(guó)一直持續(xù)研發(fā)各種可行的替代能源,而其中又以太陽(yáng)能發(fā)電的太陽(yáng)電池最受到矚目。目前,以硅晶做成的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率,因其僅能吸收1.1 電子伏特(eV)以上的太陽(yáng)光能的限制、反射光造成的損失、材料對(duì)太陽(yáng)光的吸收能力不足、載子在尚未被導(dǎo)出的前就被材料中的缺陷捕捉而失效,或是載子受到材料表面的懸浮鍵結(jié)捕捉產(chǎn)生復(fù)合等諸多因素,皆使其效率下降。因此,現(xiàn)在市售硅晶太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率僅約15%,即表示硅晶太陽(yáng)能電池的高效率化其實(shí)還有相當(dāng)大的空間。其中,太陽(yáng)能電池高效率化的基本原理就是結(jié)合不同能隙的發(fā)電層材質(zhì),把它們做成疊層結(jié)構(gòu)。
參照美國(guó)公告專(zhuān)利第5,213,628號(hào),標(biāo)題為:光伏元件 (Photovoltaic device),其主要揭示一種結(jié)合不同能隙的太陽(yáng)能電池,借借由加入非晶硅本質(zhì)半導(dǎo)體,增加太陽(yáng)能電池的載子壽命,減少電子電洞復(fù)合機(jī)率,提高光電流轉(zhuǎn)換效率。
參照美國(guó)公告專(zhuān)利第6,878,921號(hào),標(biāo)題為:光伏元件與其制作方法(Photovoltaic device and manufacturing method thereof ),其主要揭示一種硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池,使用銦錫氧化物(In2O3:SnO2,ITO)透明導(dǎo)電膜作為電流分散層,以提升其電流特性及提升光電轉(zhuǎn)換效率的特性。
參照美國(guó)公告專(zhuān)利第7,164,150號(hào),標(biāo)題為:光伏元件及其制作方法(Photovoltaic device and manufacturing method thereof),其主要揭示一種太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)與制作方式。該電池配置一透明導(dǎo)電膜于背電極及光電轉(zhuǎn)換層之間,以使入射光反射回光電轉(zhuǎn)換層中進(jìn)行再作用,借以改善電流特性并增加電池整體的光電轉(zhuǎn)換效率。
參照美國(guó)公告專(zhuān)利第7,601,558號(hào),標(biāo)題為:具有漸進(jìn)氧含量的氧化鋅透明電極 (Transparent zinc oxide electrode having a graded oxygen content),其主要揭示一種太陽(yáng)能電池的制作方式。其利用濺鍍法沉積氧化鋅透明導(dǎo)電膜,借由提高透明導(dǎo)電膜的厚度來(lái)提高面的紋理化,借以提升入射光的折射率,進(jìn)而增加電池整體的光電轉(zhuǎn)換效率。
參照美國(guó)公告專(zhuān)利第8,513,044號(hào),標(biāo)題為:薄膜光伏轉(zhuǎn)換元的制作方法(Method for the manufacturing of thin film photovoltaic converter device),其主要揭示一種太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)與制作方式。其利用濺鍍法沉積氧化鋅透明導(dǎo)電膜,再利用氫氟酸稀釋溶液或離子蝕刻法使透明導(dǎo)電膜形成紋理結(jié)構(gòu),借此增加入射光的行徑長(zhǎng)度,增加光吸收量,進(jìn)而改善元件電池整體的光電轉(zhuǎn)換效率。
參照美國(guó)公告專(zhuān)利第US-7838403號(hào),標(biāo)題為:用于光伏元件光吸收薄膜的電噴霧量產(chǎn)(Spray pyrolysis for large-scale production of chalcopyrite absorber layer in photovoltaic devices ),其主要揭示一種利用靜電力來(lái)推動(dòng)前驅(qū)物溶液,借此推動(dòng)系統(tǒng)提高材料利用率并降低制造成本,進(jìn)而改善薄膜均勻性。
對(duì)于太陽(yáng)電池所應(yīng)用的透明導(dǎo)電膜而言,錫銦氧化物(ITO)一直是主流材料,然而銦礦稀少并且昂貴,并且,在氫電漿中抵抗力弱,因此未來(lái)勢(shì)必要研發(fā)取代材料。然而,上述專(zhuān)利揭示的濺鍍法所沉積的透明導(dǎo)電膜過(guò)于平坦,無(wú)法達(dá)到所需的粗糙度,形成紋理結(jié)構(gòu),因此必須額外再進(jìn)行薄膜的蝕刻工藝,導(dǎo)致增加太陽(yáng)能電池的制造成本。
氧化鋅為一具有潛力的材料,其具有資源豐富且成本低廉的優(yōu)點(diǎn),未經(jīng)摻雜的氧化鋅即具備一定水平的導(dǎo)電性與光穿透率,并且對(duì)氫電漿的耐抗性強(qiáng),而摻雜的氧化鋅更具有不亞于錫銦氧化物(ITO)的導(dǎo)電性與光穿透率。
因此,有必要提出一種硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池能改善上述問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提出一種硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池,借由使用有機(jī)無(wú)機(jī)混合式材料形成具有粗糙紋理結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電膜,借此改善硅基異質(zhì)接面電池整體的光電轉(zhuǎn)換效率。
為達(dá)到本發(fā)明的主要目的,本發(fā)明提供一種硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池,其包含:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





