[發明專利]硅基異質接面太陽能電池在審
| 申請號: | 201610135250.5 | 申請日: | 2016-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107195720A | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 張金隆;楊茹媛;蘇盛隆;陳坤賢 | 申請(專利權)人: | 鹽城金合盛光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/072 | 分類號: | H01L31/072;H01L31/054;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司11228 | 代理人: | 馬廷昭 |
| 地址: | 224799 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅基異質接面 太陽能電池 | ||
1.一種硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,包含:
一硅基PN接面結構,具有兩個相對表面,其中該硅基PN接面結構是由一P型半導體層與一N型半導體層所組成,且該P型半導體層的能隙不同于該N型半導體層的能隙;
一第一透明導電膜,設置位于該PN接面結構的兩個相對表面的其中之一表面,其使用有機導電高分子材料混合無機納米結構金屬材料所形成;
一第二透明導電膜,設置位于該PN接面結構且相對于該第一透明導電膜的另一表面,其使用有機導電高分子材料混合無機納米金屬材料所形成;
一第一電極,設置于該第一透明導電膜之上,用于取出該硅基PN接面結構的電流;以及
一第二電極,設置于該第二透明導電膜之上,用于取出該硅基PN接面結構的電流;
其中,在該第一透明導電膜與該第二透明導電膜中,有機導電高分子材料與無機納米金屬材料的體積比例總和為100%,且無機納米金屬材料的體積比例介于10%至30%之間。
2.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該第一透明導電膜與該第二透明導電膜的制作方式選自噴印法、網印法與滾印法之一。
3.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該第一透明導電膜與該第二透明導電膜的厚度介于50納米至120納米之間。
4.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該第一透明導電膜的表面粗糙度介于20納米至50納米之間,且該第二透明導電膜的其表面粗糙度介于20納米至50納米之間。
5.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該第一透明導電膜與該第二透明導電膜的折射率介于1.90至1.94之間。
6.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該第一透明導電膜與該第二透明導電膜的片電阻介于0.1Ω/□至50Ω/□之間。
7.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該第一透明導電膜與該第二透明導電膜的有機導電高分子材料選自聚乙炔類導電高分子材料、聚噻吩類導電高分子材料、聚吡咯類導電高分子材料、聚苯胺類導電高分子材料以及聚乙烯類導電高分子材料或其組成之一。
8.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該第一透明導電膜與該第二透明導電膜的無機納米結構金屬材料選自納米金線、納米銀線、納米銅線、納米金粒子、納米銀粒子、納米銅粒子或其組成之一。
9.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該無機納米結構金屬材料為納米銀線,且該納米銀線的長度介于50納米至200納米之間,且該納米銀線的線徑介于10納米至50納米之間。
10.如權利要求1所述的硅基異質接面太陽能電池,其特征在于,該無機納米結構金屬材料為納米銀粒子,且該納米銀粒子的粒徑大小介于10納米至50納米之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





