[發明專利]一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201610134916.5 | 申請日: | 2016-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN105633015B | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發明(設計)人: | 沈世妃;李正勛;宋泳珍;房毛毛;候建新 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方顯示技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底基板上形成薄膜晶體管;
通過半色調掩模構圖工藝,在薄膜晶體管的前側形成具有過孔的鈍化層,及在所述鈍化層的前側形成隔墊物;
所述制造方法還包括:在所述隔墊物的前側形成覆蓋所述隔墊物表面的保護層;
在形成所述保護層的同時,形成與所述保護層材質相同的像素電極,所述像素電極穿過所述過孔與所述薄膜晶體管的源極連接;
其中,所述通過半色調掩模構圖工藝,在薄膜晶體管的前側形成具有過孔的鈍化層,及在所述鈍化層的前側形成隔墊物,具體包括:
在薄膜晶體管前側形成鈍化層薄膜;
在鈍化層薄膜前側形成光刻膠;
使用具有全透光區、半透光區和遮光區的掩模板對基板進行曝光,其中,全透光區與基板預形成過孔的區域位置相對,遮光區與基板預形成隔墊物的區域位置相對;
對曝光后的基板進行顯影處理;
對顯影處理后的基板進行刻蝕和灰化處理,形成具有過孔的鈍化層及在所述鈍化層的前側形成隔墊物。
2.一種陣列基板,其特征在于,包括鈍化層,所述鈍化層的前側具有隔墊物;
所述陣列基板還包括:形成在所述隔墊物的前側且覆蓋所述隔墊物表面的保護層;以及
與在形成所述保護層同時形成且與所述保護層材質相同的像素電極。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊物為有機膜隔墊物。
4.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊物為光刻膠隔墊物。
5.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求2~4任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





