[發明專利]發光顯示器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201610132761.1 | 申請日: | 2016-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN105609537B | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 鮑里斯·克里斯塔爾 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 賀月嬌;李崢 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 顯示 器件 及其 制造 方法 | ||
本發明涉及發光顯示器件及其制造方法。一種發光顯示器件包括一個或多個像素區域,每個所述像素區域設置有位于基板上的透明式的發光器件,至少部分所述像素區域設置有位于所述基板和所述發光器件之間、能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡。
技術領域
本發明涉及發光顯示器件領域,尤其涉及一種可在透明和不透明的顯示類型之間切換的發光顯示器件及其制造方法。
背景技術
當前的電致發光顯示器為自發光型,不需要背光,這一點與液晶顯示器(LCD)不同,因此可實現重量減輕和尺寸微小化。此外,電致發光顯示器具有低驅動電壓、高發光效率和寬視角,因此作為下一代顯示器受到廣泛關注。
發光顯示器件可以大致分為兩種類型——透明型和常規不透明型顯示器。透明型顯示器為頂部和底部同時發光的器件,具有對可見光的相當高的透射率,可被用于諸如抬頭顯示器(head-up display)、智能窗或增強現實(augmented reality)等場景中,但是不能用于不透明顯示。常規不透明型顯示器只能在一個方向上出光,或者為底部發光器件,或者為頂部發光器件,不透明型顯示器雖然具有顯著更高的亮度和效率,但是無法實現透明顯示。其原因在于,常規不透明型顯示器具有一個帶有反射性表面的電極,該反射性表面將所產生的光反射到另一個透明或半透明電極。而透明顯示器具有兩個透明或半透明電極,因此光通過顯示器的兩個面都可出射。
現有發光顯示器件為透明或不透明顯示器件,無法兼顧,操作便利性較差。
發明內容
本發明的實施例提供一種可在透明和不透明的顯示類型之間切換的發光顯示器件及其制造方法。通過在用于發光顯示的像素區域設置可切換鏡,使得像素在需要時為透明顯示或不透明顯示,用戶可在同一產品中實現透明和不透明切換,提高操作便利性。
根據本發明實施例的第一方面,提供一種發光顯示器件,其包括多個像素區域,每個所述像素區域設置有位于基板上的透明式的發光器件,至少部分所述像素區域設置有位于所述基板和所述發光器件之間,能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡。
根據該方面,在發光顯示器件結構的像素區域中并入能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡,像素可以根據需要而呈現透明顯示或不透明顯示。從而,方便、有效地實現了同一發光顯示器件在透明和不透明的顯示器類型之間的切換,提高了操作便利性。
根據本發明的示例性實施例,所述可切換鏡為金屬-氫化物可切換鏡。根據該示例性實施例,通過使用金屬-氫化物可切換鏡,可以利用金屬的高反射性和金屬氫化物的高透射性,方便地實現可切換鏡在反射模式與透射模式之間的切換,從而實現同一發光顯示器件在透明和不透明的顯示器類型之間的切換。
根據本發明的示例性實施例,所述可切換鏡包括自下而上層疊的底部透明電極、氫存儲電極、質子傳導層、在金屬反射狀態與金屬氫化物透射狀態之間切換的活性層、以及密封層,其中所述質子傳導層和所述密封層相互連接。根據該示例性實施例,通過對金屬-氫化物可切換鏡施加方向不同的電偏置,可以使得活性層被氫化或脫氫,在被氫化時(即,在金屬氫化物形式下),活性層呈現金屬氫化物透射狀態,而在被脫氫時(即,在全金屬形式下),活性層處于金屬反射狀態。由此,可以實現發光顯示器件在透明和不透明的顯示類型之間的切換。
根據本發明的示例性實施例,所述可切換鏡與所述發光器件正對設置。通過將可切換鏡設置為與發光器件正對彼此,可以使得在透射模式下從發光器件的與可切換鏡面對的一側出射的光幾乎全部都經歷可切換鏡的透射作用而到達基板,而在反射模式下從發光器件的與可切換鏡面對的一側出射的光幾乎全部都經歷可切換鏡的反射作用而被反射回到發光器件且不能到達基板。從而,實現在透射模式下的高效透射和在反射模式下的高效反射,即,在每種模式下發光顯示器件都能夠高效率地工作。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





