[發明專利]發光顯示器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610132761.1
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN105609537B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 鮑里斯·克里斯塔爾
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;李崢

1.一種發光顯示器件，包括一個或多個像素區域，每個所述像素區域設置有位于基板上的透明式的發光器件，其特征在于，

至少部分所述像素區域設置有位于所述基板和所述發光器件之間，能夠在透射與反射模式之間切換的可切換鏡，

其中，所述可切換鏡包括自下而上層疊的底部透明電極、氫存儲電極、質子傳導層、在金屬反射狀態與金屬氫化物透射狀態之間切換的活性層、以及密封層，其中所述質子傳導層和所述密封層相互連接，并且

其中，所述發光器件包括依次層疊設置的像素電極、發光層和正對所述像素電極的反電極。

2.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡為金屬-氫化物可切換鏡。

3.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡與所述發光器件正對設置。

4.根據權利要求3所述的發光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡與所述發光器件之間設置有平坦層，使得所述可切換鏡與所述發光器件正對設置。

5.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述可切換鏡為80-120納米厚。

6.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，還包括第一開關晶體管，所述第一開關晶體管的漏電極與所述底部透明電極連接，用于控制所述可切換鏡在透射與反射模式之間切換。

7.根據權利要求6所述的發光顯示器件，其特征在于，還包括第二開關晶體管，所述第二開關晶體管的漏電極與所述發光器件的像素電極連接，用于控制是否向所述發光器件提供數據信號。

8.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述氫存儲電極由WO₃、NdMgNi_4-aCo_a、Ti_0.5Al_0.25Ni_0.25、ZrMn_wM_xCr_yNi_z中的至少之一的氫存儲合金制成，其中：

NdMgNi_4-aCo_a中的a的范圍為0～1.0；

ZrMn_wM_xCr_yNi_z中的M為V或Mo，0.6≤w≤0.8，0.1≤x≤0.3，0<y≤0.2，1.2≤z≤1.5。

9.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述質子傳導層和所述密封層由ZrO₂、SrCeO₃、BaCeO₃、BaZrO₃中的至少之一的質子傳導材料形成，H⁺能夠填充在所述質子傳導材料中的孔中。

10.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述活性層由GdMg、Mg₂Ni、YMg、LaMg中的至少之一的材料形成。

11.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述每個像素區域包括一個或多個子像素區域，每個所述子像素區域設置有一個所述可切換鏡。

12.根據權利要求1所述的發光顯示器件，其特征在于，所述每個像素區域為由多個不同顏色子像素形成的像素區域，每個所述像素區域設置有一個所述可切換鏡。