[發明專利]一種應用PCB板通孔縱橫比＞4：1的化學鍍金生產工藝

在審

• 申請號: 201610129962.6
• 申請日: 2016-03-08
• 公開（公告）號: CN105592637A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 朱水誠;史書漢
• 申請（專利權）人: 浪潮電子信息產業股份有限公司
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司 37100
• 代理人: 張靖

技術領域

本發明涉及PCB板生產設計技術領域，具體涉及一種應用PCB板通孔縱橫比＞4：1的化學鍍金生產工藝。

背景技術

隨著電子產品體積越來越小，高性能集成的發展趨勢下，高密度PCB及通孔孔徑縮小慢慢成為高端PCB的設計趨勢。關于PCB通孔設計縱橫比>4:1的生產問題也逐漸凸顯，比較突出的化學鍍金生產工藝的不良。

高縱橫比通孔的電鍍，在多層板制造工藝中是個關鍵，PCB通孔設計縱橫比>4:1，意思是指板厚度與孔徑之比的數據大于4:1，要使鍍銅層能均勻的全部覆蓋在孔壁內難度是很大的。因PCB通孔設計縱橫比>4:1，在化學鍍鎳金過程中,造成部分通孔鍍層不完整,不良板卡率100%。

由于孔徑小、高深度使通孔在整個處理過程中都很難達到工藝要求。最容易發生質量問題的工步就是除環氧鉆污及凹蝕，等到全部被凹蝕液浸到時，越先的部位凹蝕深度超標，露出巴黎纖維，形成空洞使后來的沉銅無法覆蓋全部，就會出現空洞現象。

PCB正常生產過程中，因PCB通孔設計縱橫比>4:1，在化學鍍鎳金過程中,造成部分通孔鍍層不完整,不良板卡率100%。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：針對以上問題，本發明提出了一種應用PCB板通孔縱橫比＞4：1的化學鍍金生產工藝。

本發明所采用的技術方案為：

一種應用PCB板通孔縱橫比＞4：1的化學鍍金生產工藝，所述工藝包括內容如下：在PCB板化學鍍鎳金過程中，將生產插框擺放距離在傳統擺放距離10~20mm的基礎上增大。業界內通用生產,插框擺放距離10~20mm。通過增大插框的包房距離，能有效降低鍍金的不良率。

所述生產插框擺放距離增大至80mm。可有效增加PCB基板在化學鍍鎳金過程中與化學液的接觸。

所述工藝還包括內容如下：將生產插框擺放角度在傳統垂直擺放的基礎上增大。業界內通用生產插框內垂直擺放PCB基材，通過增大差匡的擺放角度，可以促進化學液在PCB通孔內的流通。

所述生產插框擺放角度增大為傾斜15°擺放，能夠更好的增加化學液上涌過程中與PCB基材接觸的壓力差，促進化學液在PCB通孔內的流通。

所述工藝適合通孔設計縱橫比>4:1~8:1的PCB板鍍鎳金生產工藝。即以PCB基材厚度1.6mm的情況下，能夠最小滿足0.2mm通孔的正常鍍鎳金生產。

本發明的有益效果為：

本發明針對業界內PCB通孔設計提供數據指導，避免縱橫比過大的設計；實施成本較低，無需新開制治具，在化學鍍金工站有50%的生產效率損耗，相比100%成品報廢相對劃算；該工藝應用經過實驗測試和批量生產的檢驗，可廣泛推廣。

具體實施方式

下面根據具體實施方式對本發明進一步說明：

實施例1：

一種應用PCB板通孔縱橫比＞4：1的化學鍍金生產工藝，所述工藝包括內容如下：在PCB板化學鍍鎳金過程中，將生產插框擺放距離在傳統擺放距離10~20mm的基礎上增大。業界內通用生產,插框擺放距離10~20mm。通過增大插框的包房距離，能有效降低鍍金的不良率。

實施例2

在實施例1的基礎上，本實施例所述生產插框擺放距離增大至80mm。可有效增加PCB基板在化學鍍鎳金過程中與化學液的接觸。

實施例3

在實施例1或2的基礎上，本實施例所述工藝還包括內容如下：將生產插框擺放角度在傳統垂直擺放的基礎上增大。業界內通用生產插框內垂直擺放PCB基材，通過增大差框的擺放角度，可以促進化學液在PCB通孔內的流通。

實施例4

在實施例3的基礎上，本實施例所述生產插框擺放角度增大為傾斜15°擺放，能夠更好的增加化學液上涌過程中與PCB基材接觸的壓力差，促進化學液在PCB通孔內的流通。

實施例5

在實施例4的基礎上，本實施例所述工藝適合通孔設計縱橫比>4:1~8:1的PCB板鍍鎳金生產工藝。即以PCB基材厚度1.6mm的情況下，能夠最小滿足0.2mm通孔的正常鍍鎳金生產。

實施例6：

PCIE某項目試產初期，PCB2.0mm厚度在化學鍍金過程中，鉆孔徑為0.476mm通孔鍍層不良，PCB100%報廢。

對不良PCB發黑孔位置做切片，可明顯看到整個通孔內的鍍層不良分布。

原因分析--制程能力驗證

1.萬孔板信息

成品板厚：1.6mm；