[發(fā)明專利]半導體器件的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610128530.3
• 申請日: 2016-03-07
• 公開（公告）號: CN107170678B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 紀登峰;楊俊;邵群;胡宗福;劉洪濤;劉浩;錢志剛;王晨驍;肖中強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/306;H01L21/318
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有中心區(qū)域和邊緣區(qū)域；

在所述基底上由下到上依次形成金屬材料層、犧牲材料層和阻擋材料層；

刻蝕所述金屬材料層、犧牲材料層和阻擋材料層直至暴露出基底表面，在所述中心區(qū)域和邊緣區(qū)域形成金屬層、犧牲層和阻擋層；

形成覆蓋所述阻擋層和基底的第一層間介質層；

平坦化所述第一層間介質層直至暴露出中心區(qū)域和邊緣區(qū)域阻擋層的頂部表面；

刻蝕去除所述阻擋層和部分厚度的第一層間介質層，且使所述第一層間介質層的頂部表面與所述犧牲層的底部表面齊平；

去除所述犧牲層后，形成覆蓋所述金屬層和第一層間介質層的第二層間介質層。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化硅。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為5nm～5000nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述阻擋材料層的工藝為等離子體化學氣相沉積工藝、亞大氣壓化學氣相沉積工藝或低壓化學氣相沉積工藝。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為不定型碳。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為5nm～5000nm。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲材料層的工藝為等離子體化學氣相沉積工藝、亞大氣壓化學氣相沉積工藝或低壓化學氣相沉積工藝。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，平坦化所述第一層間介質層的工藝為化學機械研磨工藝。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，刻蝕去除所述阻擋層和部分厚度的第一層間介質層的工藝為各向異性干刻工藝。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在刻蝕去除所述阻擋層和部分厚度的第一層間介質層的過程中，對阻擋層的刻蝕速率與對第一層間介質層的刻蝕速率的比值為1：30～30：1。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層的工藝為：采用氧等離子體去除所述犧牲層。