[發明專利]對阻擋膜進行邊緣密封的方法在審
| 申請號: | 201610127416.9 | 申請日: | 2009-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN105609659A | 公開(公告)日: | 2016-05-25 |
| 發明(設計)人: | 楚西;保羅·E·伯羅斯;艾里克·S·馬斯特;彼得·M·馬丁;戈登·L·格拉夫;馬克·E·格羅斯;查爾斯·C·博納姆;溫蒂·D·貝納特;邁克·G·霍爾;馬丁·菲利普·羅森布拉姆 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻擋 進行 邊緣 密封 方法 | ||
本申請是向中國國家知識產權局提交的申請日為2009年12月3日的標 題為“對阻擋膜進行邊緣密封的方法”的第200980151910.7號申請的分案申 請。
技術領域
本發明總地涉及多層薄膜阻擋組合物,更具體地講,涉及具有抵抗側面 的濕氣和氣體擴散而被密封邊緣的多層薄膜阻擋組合物。
背景技術
已知的是具有阻擋材料和聚合物材料的交替層的多層薄膜阻擋組合物。 通常通過沉積(例如通過氣相沉積)阻擋材料和聚合物材料的交替層而形成 這些組合物。如果聚合物層沉積在基底的整個表面上,那么聚合物層的邊緣 被暴露于氧、濕氣和其它污染物。這潛在地允許濕氣、氧或其它污染物從組 合物的邊緣從側面擴散到包封好的環境敏感器件中,如圖1所示。多層薄膜 阻擋組合物100包括基底105及去耦材料110和阻擋材料115的交替層。圖1 的比例在豎直方向上被極大地擴大了。基底105的面積通常將從幾平方厘米 變化至幾平方米。阻擋層115通常為幾百埃厚,而去耦層110通常小于十微 米厚。濕氣和氧的側面擴散速率有限,最終這將危及包封。減少邊緣擴散的 問題的一種方式是設置長的邊緣擴散路徑。然而,這減小了可用于有效的環 境敏感器件的基底的面積。此外,這樣僅僅是減少了該問題,而沒有消除該 問題。
當對包括多層薄膜阻擋組合物的基底進行劃線和分離來制成單個的組件 時,將會出現類似的邊緣擴散問題。
因此,需要一種邊緣密封的阻擋膜組合物和一種制造這種組合物的方法。
發明內容
本發明通過提供一種制造邊緣密封的包封環境敏感器件的方法解決了這 種需求。在一個實施例中,所述方法包括以下步驟:在基底上設置具有接觸 件的環境敏感器件;與環境敏感器件相鄰地沉積去耦層,去耦層具有不連續 區域并且覆蓋環境敏感器件而且在包封環境敏感器件的步驟期間不覆蓋接觸 件,利用印刷工藝沉積去耦層;與去耦層相鄰地沉積第一阻擋層,第一阻擋 層具有比去耦層的不連續區域大的第一區域并且覆蓋去耦層,第一阻擋層具 有覆蓋接觸件的第二區域,去耦層被密封在第一阻擋層的邊緣和基底的邊緣 之間或者密封在第一阻擋層的邊緣和可選的第二阻擋層的邊緣之間;從接觸 件去除第一阻擋層的第二區域,其中,去耦層的沉積和第一阻擋層的沉積是 在不存在掩模的情況下完成的,其中,阻擋層包括無機材料,去耦層包括聚 合物。
在另一實施例中,所述方法包括以下步驟:在基底上設置具有接觸件的 環境敏感器件;利用熱梯度沉積聚合物去耦層,聚合物去耦層與環境敏感器 件相鄰,聚合物去耦層具有不連續區域并且覆蓋環境敏感器件并且在包封環 境敏感器件的步驟期間不覆蓋接觸件;與聚合物去耦層相鄰地沉積第一阻擋 層,第一阻擋層具有比聚合物去耦層的不連續區域大的區域并且覆蓋聚合物 去耦層,聚合物去耦層密封在第一阻擋層的邊緣和基底的邊緣之間或者密封 在第一阻擋層的邊緣和可選的第二阻擋層的邊緣之間,其中,去耦層的沉積 和第一阻擋層的沉積是在不存在掩模的情況下完成的,其中,阻擋層包括無 機材料。
“相鄰地”在這里是指“與···挨著”,但不必是“與···直接挨著”。 可以在基底和阻擋堆疊件之間以及在阻擋堆疊件和環境敏感器件之間等設置 有另外的層。
附圖說明
圖1是現有技術的阻擋組合物的剖視圖。
圖2是本發明的邊緣密封的包封環境敏感器件的一個實施例的剖視圖。
圖3示出了在沒有密封件的情況下在60℃和90%的相對濕度下經750小 時之后的結果良好的阻擋層。
圖4示出了在60℃和90%的相對濕度下經750小時之后的結果良好的邊 緣密封。
圖5示出了在60℃和90%的相對濕度下經750小時之后的不合格的邊緣 密封。
圖6示出了基底和掩模布置的一個實施例的剖視圖和所得密封件的平面 圖。
圖7示出了基底和掩模布置的另一實施例的剖視圖和所得密封件的平面 圖。
圖8示出了根據本發明制造的邊緣密封的包封環境敏感器件的一個實施 例的剖視圖。
圖9是示出了在基底上具有接觸件的環境敏感器件的示意圖。
圖10是示出了覆蓋環境敏感器件和接觸件的阻擋層的示意圖。
圖11是示出了覆蓋環境敏感器件的去耦層的示意圖。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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