[發明專利]一種高可靠性的地鐵架控制動控制器電磁閥控制電路

有效

• 申請號: 201610124221.9
• 申請日: 2016-03-04
• 公開（公告）號: CN105607470B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 曾志勇;徐小磊;張鳳磊;付長印;謝偉超
• 申請（專利權）人: 江西華伍制動器股份有限公司
• 主分類號: G05B9/03
• 分類號: G05B9/03
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種高可靠性的地鐵架控制動控制器電磁閥控制電路，其特征在于：它包括功能冗余的主CPU、輔CPU、雙通道邏輯控制電路和閥驅動電路；

主CPU和輔CPU之間通過串行外設接口實時通信；

雙通道邏輯控制電路包括數據選擇器IC1、或門IC2、與門IC3和晶體管陣列IC4，主CPU、輔CPU的IO口分別與數據選擇器IC1輸入端連接，或門IC2包括或門IC2A、IC2B、IC2C，與門IC3包括與門IC3A、IC3B、IC3C，數據選擇器IC1的1Y端與與門IC3A連接，與門IC3A的輸入端與或門IC2A連接，與門IC3A的輸出端與晶體管陣列IC4的輸入端連接，數據選擇器IC1的2Y端與與門IC3C連接，與門IC3C的輸入端與或門IC2C連接，與門IC3C的輸出端與晶體管陣列IC4的輸入端連接，晶體管陣列IC4的輸入端INA與與門IC3A輸出端連接，晶體管陣列IC4的輸入端INB與與門IC3B輸出端連接，與門IC3B輸入端與或門IC2B輸出端連接；

閥驅動電路包括多個MOSFET管、二極管D1、二極管D2、HV閥和RV閥，晶體管陣列IC4的輸出端分別與MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3的柵極連接，MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3串聯連接，MOSFET管Q3的源極和漏極分別連接二極管D1、二極管D2，二極管D1與HV閥連接，二極管D2與RV閥連接，MOSFET管Q3的漏極通過電容C3接地。

2.根據權利要求1所述的一種高可靠性的地鐵架控制動控制器電磁閥控制電路，其特征在于：MOSFET管Q1的源極接24V電源，MOSFET管Q2的源極與MOSFET管Q1的漏極連接，MOSFET管Q3的源極與MOSFET管Q2的漏極連接。

3.根據權利要求2所述的一種高可靠性的地鐵架控制動控制器電磁閥控制電路，其特征在于：MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3的柵極和源極之間設置電阻。