[發(fā)明專利]一種真空蒸鍍裝置及利用其制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610122590.4
• 申請日: 2016-03-04
• 公開（公告）號(hào): CN105762278B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖良生;王照奎;王波
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/00
• 分類號(hào): H01L51/00;H01L51/56;C23C14/50
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200
• 代理人: 曹毅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于蒸鍍裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種真空蒸鍍裝置及利用其制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。

背景技術(shù)

在有機(jī)半導(dǎo)體器件的制備工藝中，目前應(yīng)用較多的是真空蒸鍍的方法，此方法中真空設(shè)備高昂的成本是導(dǎo)致有機(jī)半導(dǎo)體器件價(jià)格居高不下的重要因素之一。而且真空蒸鍍抽真空所需時(shí)間很長，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件制備時(shí)間很長。然而隨著有機(jī)半導(dǎo)體器件產(chǎn)品化發(fā)展趨勢越來越快，生產(chǎn)成本的問題也變的更加嚴(yán)峻。為降低生產(chǎn)成本，溶液法制備有機(jī)半導(dǎo)體器件的工藝應(yīng)運(yùn)而生。但是同時(shí)也產(chǎn)生了許多的問題，比如器件效率低，壽命短。特別是制備過程中相鄰功能層之間容易互溶的問題難以解決。

發(fā)明內(nèi)容

解決的技術(shù)問題：針對現(xiàn)有的真空蒸鍍設(shè)備成本較高，蒸鍍所需時(shí)間較長的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種真空蒸鍍裝置及利用其制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。

技術(shù)方案：一種真空蒸鍍裝置，所述真空蒸鍍裝置由真空蒸鍍罩、鉭蒸鍍支架和真空泵組成；所述鉭蒸鍍支架由底座和兩塊基底支撐板組成，基底支撐板垂直設(shè)置在底座上方，兩塊基底支撐板的上方分別對應(yīng)設(shè)置有基底卡槽，底座左右兩側(cè)分別接通電源的正負(fù)極、形成電流回路；所述底座與真空蒸鍍罩平行放置，中間用木棍隔開，真空泵通過真空管與真空蒸鍍罩的內(nèi)部空間接通。

利用一種真空蒸鍍裝置制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法包括如下步驟：

第一步：對ITO玻璃基板進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化清洗，再進(jìn)行臭氧處理，然后在ITO玻璃基板上旋涂或刮涂或噴墨打印一層PEDOT: PSS，再進(jìn)行退火；

第二步：將TAPC溶解在氯仿中后靜置1h，得到溶液A，其中溶液A的濃度為30 mg/mL；

第三步：對硅基板Ⅰ進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化清洗，然后將溶液A通過旋涂或刮涂或噴墨打印的方法均勻的涂布在硅基板Ⅰ表面，形成厚度為120 nm的薄膜；

第四步：將第一步中帶有PEDOT: PSS層的ITO玻璃基板放置在兩塊基底支撐板上的基底卡槽中，PEDOT: PSS層朝下，將第三步中帶有溶液A層的硅基板鋪在兩塊基底支撐板之間的底座上，溶液A層朝上，用真空泵將真空蒸鍍罩內(nèi)的壓強(qiáng)抽至0.01～3Pa，然后將底座的左右兩側(cè)接通，形成電流大小為70 mA的電流回路，持續(xù)30s，將TAPC轉(zhuǎn)移到ITO玻璃基板上的PEDOT: PSS層上；

第五步：將TCTA: Ir(MDQ)₂acac溶解在氯仿中后靜置1 h，得到溶液B，其中溶液B的濃度為30 mg/mL，Ir(MDQ)₂acac的摻雜比例為8%；

第六步：對硅基板Ⅱ進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化清洗，然后將溶液B通過旋涂或刮涂或噴墨打印的方法均勻的涂布在硅基板Ⅱ表面，形成厚度為80 nm的薄膜；

第七步：將第四步中處理后的帶有PEDOT: PSS層和TAPC層的ITO玻璃基板放置在兩塊基底支撐板上的基底卡槽中，TAPC層朝下，將第六步中帶有溶液B層的硅基板鋪在兩塊基底支撐板之間的底座上，溶液B層朝上，用真空泵將真空蒸鍍罩內(nèi)的壓強(qiáng)抽至0.01～3Pa，然后將底座的左右兩側(cè)接通，形成電流大小為70 mA的電流回路，持續(xù)30s，將TCTA: Ir(MDQ)₂acac轉(zhuǎn)移到ITO玻璃基板上的TAPC層上；

第八步：用傳統(tǒng)方法在壓強(qiáng)為1×10^-5Pa下將TmPyPB層蒸鍍到第七步中得到的TCTA: Ir(MDQ)₂acac層上，接著將Liq層蒸鍍到TmPyPB層上，再將Al陰極層蒸鍍到Liq層上，即得有機(jī)電致發(fā)光器件。

上述所述的第一步中退火溫度為160 ℃，退火時(shí)間為15 min。

上述所述的第一步、第三步和第六步中標(biāo)準(zhǔn)化清洗的步驟均為用丙酮、乙醇和蒸餾水先后進(jìn)行超聲清洗，再用蒸餾水沖洗一遍并干燥。

上述所述的第八步中蒸鍍時(shí)的沉積速度對TmPyPB保持在2?/s，對Liq保持在0.2?/s，對Al保持在8?/s。

上述所述的第八步中TmPyPB層的厚度為40 nm，Liq層的厚度為2 nm，Al陰極層的厚度為120 nm。

有益效果：本發(fā)明提供的一種真空蒸鍍裝置及利用其制備有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，具有以下有益效果：

1.本發(fā)明的真空蒸鍍裝置使得在制備有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，在較低的壓強(qiáng)條件下即可完成，毋須采用昂貴的真空蒸鍍設(shè)備，所需設(shè)備較傳統(tǒng)工藝所需工藝成本大大降低；

2.本發(fā)明的真空蒸鍍裝置使得在制備有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，器件制備所需時(shí)間也大大縮短，便于大規(guī)模的工業(yè)制造；