[發明專利]一種真空蒸鍍裝置及利用其制備有機電致發光器件的方法

有效

• 申請號: 201610122590.4
• 申請日: 2016-03-04
• 公開（公告）號: CN105762278B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 廖良生;王照奎;王波
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/56;C23C14/50
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司32200
• 代理人: 曹毅

1.一種真空蒸鍍裝置制備有機電致發光器件的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

第一步：對ITO玻璃基板進行標準化清洗，再進行臭氧處理，然后在ITO玻璃基板上旋涂或刮涂或噴墨打印一層PEDOT: PSS，再進行退火；

第二步：將TAPC溶解在氯仿中后靜置1h，得到溶液A，其中溶液A的濃度為30 mg/mL；

第三步：對硅基板Ⅰ進行標準化清洗，然后將溶液A通過旋涂或刮涂或噴墨打印的方法均勻的涂布在硅基板Ⅰ表面，形成厚度為120 nm的薄膜；

第四步：將第一步中帶有PEDOT: PSS層的ITO玻璃基板放置在兩塊基底支撐板（5）上的基底卡槽（6）中，PEDOT: PSS層朝下，將第三步中帶有溶液A層的硅基板鋪在兩塊基底支撐板（5）之間的底座（4）上，溶液A層朝上，用真空泵（3）將真空蒸鍍罩（1）內的壓強抽至0.01～3Pa，然后將底座（4）的左右兩側接通，形成電流大小為70 mA的電流回路，持續30s，將TAPC轉移到ITO玻璃基板上的PEDOT: PSS層上；

第五步：將TCTA: Ir(MDQ)₂acac溶解在氯仿中后靜置1 h，得到溶液B，其中溶液B的濃度為30 mg/mL，Ir(MDQ)₂acac的摻雜比例為8%；

第六步：對硅基板Ⅱ進行標準化清洗，然后將溶液B通過旋涂或刮涂或噴墨打印的方法均勻的涂布在硅基板Ⅱ表面，形成厚度為80 nm的薄膜；

第七步：將第四步中處理后的帶有PEDOT: PSS層和TAPC層的ITO玻璃基板放置在兩塊基底支撐板（5）上的基底卡槽（6）中，TAPC層朝下，將第六步中帶有溶液B層的硅基板鋪在兩塊基底支撐板（5）之間的底座（4）上，溶液B層朝上，用真空泵（3）將真空蒸鍍罩（1）內的壓強抽至0.01～3Pa，然后將底座（4）的左右兩側接通，形成電流大小為70 mA的電流回路，持續30s，將TCTA: Ir(MDQ)₂acac轉移到ITO玻璃基板上的TAPC層上；

第八步：用傳統方法在壓強為1×10^-5Pa下將TmPyPB層蒸鍍到第七步中得到的TCTA: Ir(MDQ)₂acac層上，接著將Liq層蒸鍍到TmPyPB層上，再將Al陰極層蒸鍍到Liq層上，即得有機電致發光器件。

2.根據權利要求1所述的一種真空蒸鍍裝置制備有機電致發光器件的方法，其特征在于：所述第一步中退火溫度為160 ℃，退火時間為15 min。

3.根據權利要求1所述的一種真空蒸鍍裝置制備有機電致發光器件的方法，其特征在于：所述第一步、第三步和第六步中標準化清洗的步驟均為用丙酮、乙醇和蒸餾水先后進行超聲清洗，再用蒸餾水沖洗一遍并干燥。

4.根據權利要求1所述的一種真空蒸鍍裝置制備有機電致發光器件的方法，其特征在于：所述第八步中蒸鍍時的沉積速度對TmPyPB保持在2?/s，對Liq保持在0.2?/s，對Al保持在8?/s。

5.根據權利要求1所述的一種真空蒸鍍裝置制備有機電致發光器件的方法，其特征在于：所述第八步中TmPyPB層的厚度為40 nm，Liq層的厚度為2 nm，Al陰極層的厚度為120 nm。