[發明專利]蝕刻裝置、蝕刻方法以及由所述蝕刻方法所蝕刻的撓性膜

有效

• 申請號: 201610122347.2
• 申請日: 2016-03-03
• 公開（公告）號: CN107086187B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 鄭載潤;金基秀;曺承旻
• 申請（專利權）人: 韓華航空航天公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;H01L21/306
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264
• 代理人: 劉俊

本發明公開一種蝕刻裝置及方法，能在撓性膜卷繞于滾筒式夾具的狀態下進行蝕刻加工，以及一種利用所述蝕刻方法蝕刻的撓性膜。所述蝕刻裝置包括:加工槽，所述加工槽中包括蝕刻劑；滾筒式夾具，可旋轉地設置在所述加工槽中，在其上形成有薄膜的撓性膜卷繞于所述滾筒式夾具的狀態下，所述滾筒式夾具浸泡于所述蝕刻劑中；以及滾筒式夾具驅動器，配置成用以旋轉所述滾筒式夾具。所述蝕刻裝置具有簡潔的結構，能有效地在形成有薄膜的大面積撓性膜上進行蝕刻加工。

技術領域

本發明涉及一種蝕刻裝置。具體而言，本發明是關于一種利用浸漬法而可以均勻地蝕刻撓性膜表面的蝕刻裝置以及方法，以及利用所述蝕刻方法蝕刻的撓性膜。

背景技術

一般而言，為了大量生產半導體元件，如光伏電池元件(photovoltaic-cellelement)、系統半導體或者顯示器的光學膜元件(optical-film element)，必須具備能夠在膜基板上持續形成大面積的微圖案的技術。

在制造上述的半導體元件時，需要蝕刻加工，使具有微電路圖案(micro-circuitpattern)的薄膜層疊于膜基板上，并且將不需要的部份從薄膜移除以顯露所述的微電路圖案。

蝕刻加工一般可分為濕方法(wet method)以及干方法(dry method)。濕蝕刻方法(wet etching method)是一種利用液體化工品將不需要的部份從層疊于膜基板上的薄膜剪下的方法。相反地，干蝕刻方法(dry etching method)是一種不利用液體化工品，而是利用氣體，將不需要的部份從薄膜剪下的方法。

近來，由于電路的線條寬度變得非常精細且基板的尺寸增加，為了增加產量，干蝕刻方法的使用增加。然而，干蝕刻方法的缺點在于其相較于濕蝕刻方法更為昂貴以及繁瑣。濕蝕刻方法例如包括浸漬法、噴灑法等。

舉例來說，圖1示意性地顯示韓國專利第1021931號(2011/03/16)所揭露利用噴灑法的現有的蝕刻裝置。

如圖1所示，現有的蝕刻裝置包括：第一噴嘴部10，使蝕刻劑沿基板1表面流動；第二噴嘴部20，從基板1的一側噴灑蝕刻劑；以及固定部30，將基板1固定于預定位置。在基板1藉由固定部30固定成向上豎立的狀態下，基板的一表面被從第一噴嘴部10流出的蝕刻劑所蝕刻，并且同時被從第二噴嘴部20噴灑的蝕刻劑所蝕刻。

然而，現有的蝕刻裝置的缺點在于，在撓性膜被向上豎立的狀態下，噴灑蝕刻劑于撓性膜上是困難的，因此將裝置應用在用于撓性膜的蝕刻加工是困難的。

同時，為了藉由蝕刻方法利用浸漬法蝕刻大面積的膜基板，膜基板被連接到硬板后，直立或水平地被置放在含有刻蝕劑的刻蝕槽。在此狀態下，執行蝕刻加工。

然而，現有的浸漬法需要大尺寸的蝕刻劑槽用于蝕刻大面積的撓性膜、大尺寸的輸送裝置用于輸送連同板的撓性膜、大尺寸的洗滌裝置以及干燥裝置。因此，所述方法的缺點在于需要大量空間以及高昂成本。甚至，現有的蝕刻方法的缺點有，以不接觸的方式處理撓性膜的表面并不容易，另外，對于設備而言，并不容易確保其能夠均勻地對表面蝕刻的能力。甚至，為了確保所述能力，需要大量的構件，因而大幅地提升裝置的成本。

發明內容

據此，本發明謹記相關技術中所存在的上述問題，并且本發明的目的在于提案一種對卷繞于滾筒式夾具的撓性膜進行蝕刻加工的蝕刻裝置以及方法，因而簡化裝置的結構、減少作業空間以及改進蝕刻均勻性，以及藉由所述蝕刻方法所蝕刻的撓性膜。

為了達成目標，本發明提供一種蝕刻裝置，包括：一加工槽，所述加工槽中包含蝕刻劑；一滾筒式夾具，可旋轉地設置在所述加工槽中，在其上形成有一薄膜的一撓性膜卷繞所述滾筒式夾具的狀態下，所述滾筒式夾具浸泡于所述蝕刻劑中；以及一滾筒式夾具驅動器，配置成用以旋轉所述滾筒式夾具。