[發明專利]一種InSb光導器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201610122190.3
• 申請日: 2016-03-04
• 公開（公告）號: CN105720128A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 馬可軍;俞振中;鄭律
• 申請（專利權）人: 江蘇森尼克電子科技有限公司
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09;H01L31/0304;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛

技術領域

本發明涉及一種InSb光導器件及其制備方法。

背景技術

現有技術中，光導晶片一般為N型InSb光導器件，其通過紅外光照產生電壓。這種光導晶片的缺陷是：響應率較低。

發明內容

為克服上述缺點，本發明的目的在于提供一種InSb光導器件及其制備方法，該InSb光導器件的響應率較高。

為了達到以上目的，本發明采用的技術方案是：

一種InSb光導器件，包括InSb光敏元件，所述InSb光敏元件通過擴散法摻雜有P型雜質。

優選地，所述P型雜質為Zn或Cd。

優選地，所述P型雜質的摻雜濃度為5×10¹⁶~1×10¹⁷cm^-3。

優選地，所述InSb光敏元件的厚度為5~15μm。

更優選地，所述InSb光敏元件的厚度為10μm。

本發明采用的又一技術方案是：

一種所述的InSb光導器件的制備方法，包括以下步驟：取高純InSb光敏元件，采用擴散法向高純InSb光敏元件內擴散摻雜P型雜質，獲得所述摻雜有P型雜質的InSb光敏元件。

優選地，將高純InSb光敏元件和P型雜質：Sb源放置于雙溫區真空石英管內，高純InSb光敏元件區的溫度為400~500℃，P型雜質：Sb源區的溫度低于高純InSb光敏元件區的溫度。

優選地，取高純InSb晶體材料，通過切割、研磨、拋光、光刻成型制得厚度為5~15μm的高純InSb光敏元件。

更優選地，高純InSb光敏元件的厚度為10μm。

由于采用了上述技術方案，相較現有技術具有以下優點：

由于在InSb光敏元件中摻雜P型雜質，本發明的InSb光導器件為一種高性能的室溫InSb光導器件，響應率較高；本發明的InSb光導器件的制備采用擴散法，具有較高的產率。

具體實施方式

下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解。

本實施例中的InSb光導器件，其為一種具有高響應率的高性能室溫InSb光導器件，它包括InSb光敏元件，InSb光敏元件通過擴散法摻雜有P型雜質。

本實施例中，選用Zn（鋅）或Cd（鎘）作為P型雜質。P型雜質的摻雜濃度為5×10¹⁶~1×10¹⁷cm^-3InSb光敏元件的厚度為5~15μm，優選為10μm。

本實施例還提供了一種上述的InSb光導器件的制造工藝，包括以下步驟：

取高純InSb晶體材料（為N型InSb材料，不含P型成分），通過切割、研磨、拋光、光刻成型等技術制得厚度為5~15μm（優選為10μm）的高純InSb光敏元件，將高純InSb光敏元件和Zn（Cd）：Sb源放置于雙溫區真空石英管內，高純InSb光敏元件區的溫度為400~500℃，Zn（Cd）：Sb源區的溫度稍低于高純InSb光敏元件區的溫度，通過改變源溫可控制摻雜濃度，向高純InSb光敏元件內擴散摻雜P型雜質，獲得摻雜有P型雜質的InSb光敏元件。相比摻雜生長晶體，本實施例的制造工藝具有較高的產率。

以上實施方式只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人了解本發明的內容并加以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍，凡根據本發明精神實質所做的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍內。